旋转电极电火花抛光金刚石膜

电火花抛光金刚石膜的工艺是预先在金刚石膜表面镀覆一层导电层,然后采用电火花进行加工,使金刚石膜表面突起的尖峰被迅速去除.在单脉冲放电抛光试验中深入地研究了镀层材料对电火花抛光金刚石膜的影响,并证实了加工中金刚石表面的石墨化是使电火花加工得以不断延续的关键.通过旋转电极的抛光试验,验证了旋转电极连续抛光金刚石膜的有效性,提出电火花抛光的机理模型.     

钛合金Ti-6Al-4V的电火花线切割参数试验研究

为了研究钛合金电火花线切割加工中影响加工速度与加工材料表面粗糙度的电参数因素,以快走丝电火花线切割机床的电参数为控变因子研究各个电参数对钛合金加工后的表面质量和加工速度的影响规律。通过单因素试验,正交试验的极差分析,研究电火花线切割各电参数对其性能指标的影响,试验结果表明:材料去除率与表面粗糙度是一对相互矛盾指标,各电参数对于这两项指标都有不同程度的影响。该研究旨在为优化钛合金的加工工艺提供参考。     

电火花加工中电参数及热处理对加工质量影响的研究

电火花加工因性能优异而被广泛应用于航空航天、精密机械、汽车等行业的零部件加工中。选择38CrMoAlA和2Cr3WMoV两种材料,通过多组试验研究了电火花加工电参数及热处理工序对加工质量的影响,对不同参数、不同工序下的零件表面和断面进行了分析,为电火花加工时的电参数选择与热处理工序安排提供了参考。     

CVD金刚石膜抛光新技术

提出了一种新的CVD金刚石膜抛光技术。金刚石膜表面被预先涂覆一层导电金属，然后采用电蚀方法对该表面进行加工，使金刚石膜突起的尖峰被迅速去除，加工中金刚石表面的石墨化使电蚀加工得以不断延续。采用CVD金刚石膜抛光新技术，可以高效率地完成对CVD金刚石膜的粗抛光。     

基于砂轮电火花整形的ELID磨削实验研究

在ELID精密镜面磨削机理和氧化膜状态表征的理论指导下,通过对电火花粗整形和精整形后形成硬质层和去除硬质层的金属结合剂金刚石砂轮进行ELID电解对比实验,研究了3种砂轮ELID电解电流曲线和电解后砂轮表面氧化膜的变化,实验并分析不同砂轮电解后对GCr15轴承钢加工表面粗糙度的影响。实验结果证明:电火花整形后的砂轮,表面硬质层阻值较大,不宜直接用于ELID精密镜面磨削加工;电火花整形技术可以有效提高砂轮表面的强度和硬度,能够提高砂轮的耐磨性;为保证砂轮表面形成的硬质层最薄,电火花精整形时需选用较小的放电参数。     

基于支持向量机的电火花加工8418钢表面粗糙度预测模型

由于电火花加工过程的复杂性,单纯通过电火花加工实验方法研究各种放电参数及非电参数对工件表面粗糙度Ra的影响不但耗费大量时间,而且实验成本较高,为此基于支持向量机提出了一种适用于电火花加工表面粗糙度预测的模型。利用遗传算法对该模型中的各参数进行优化,预测不同电火花加工参数组合下的表面粗糙度;以电火花加工8418模具钢为例,将预测值与实验值进行对比,并且通过实验验证了电火花加工8418钢表面粗糙度预测模型参数的准确性;最后进行了误差分析,模型的最大误差值为2.27%。     

不同电规准条件下硬质合金电火花加工性能的研究

通过对硬质合金材料的电火花加工试验,研究了脉冲宽度、峰值电流等电参数对加工效率、电极损耗、加工表面粗糙度等加工性能的影响规律,并分析了其作用机理,提出通过合理配置电参数以改善硬质合金加工性能的工艺原则。     

气液双介质电火花线切割精加工研究

往复走丝电火花线切割采用大气介质代替传统的液体介质，对Cr12MoV模具钢进行电火花线切割精加工，较液体介质可获得更高的表面加工质量，但也存在电蚀表面碳化、加工不稳定、电极丝热疲劳损伤大等问题。为解决上述问题，尝试采用气液双介质对模具钢进行电火花线切割精加工实验研究。结果表明，在相同电参数条件下，选择合适的进给速度、切削深度、运丝速度和液膜厚度，气液双介质中加工表面质量较液中明显提高，电极丝损耗较气中明显降低。     

汽轮机叶片材料1Cr13钢线切割表面粗糙度正交试验研究

通过电火花线切割加工1Cr13钢正交试验,分析了各电参数对加工表面粗糙度的影响,并且对数据进行了方差和显著性分析,得到了一组最优的粗糙度电参数组合。     

电火花机械复合磨削加工聚晶金刚石刀具

本文对聚晶金刚石刀具的电火花机械复合磨削的过程及特点进行了论述，并通过分析和实验，指出非电参数和电参数对刃磨速度和刃磨质量的影响。     

石墨基金刚石涂层电极的制备及性能研究

采用固体三氧化二硼，用热丝辅助化学气相沉积法在石墨衬底上沉积了掺硼金刚石涂层。用喇曼谱、扫描电镜及电导一温度关系研究了掺硼金刚石涂层的生长气压和掺硼浓度等主要工艺参数对涂层的形貌、结构及电学性能的影响和涂层的循环伏安特性。结果表明，石墨基金刚石涂层电极具有优良的电化学性能。     

Cr过渡层沉积粘附型CVD金刚石膜的机理研究

研究了电沉积层作为过渡层沉积CVD金刚石膜的工艺，在硬质合金的Cr电沉积层上用热丝法沉积出CVD金刚石膜。利用SEM分析了电沉积层的形貌，利用EPMA分析了H等离子处理后电沉积层的断面，利用SEM和Raman分析了金刚石膜的表面形貌、成分，利用XRD分析了过渡层和CVD金刚石膜的结合面．利用压痕法研究了金刚石薄膜与基体的结合力。结果表明，H等离子处理使得硬质合全与Cr镀层成为冶金结合，提高了电沉积层的结合强度；在Cr过渡层与金刚石膜之间形成的Cr3C2和Cr7C3等碳化物有利于金刚石的成核和膜基结合强度的提高。     

导电CVD金刚石电极电火花精微加工研究

将导电CVD金刚石厚膜用作电火花加工的电极,研究了其精微加工特性。实验显示,导电CVD金刚石电极在窄脉宽精微加工条件下的损耗极低,几乎为零;且在某些条件下导电CVD金刚石电极的加工效率优于铜电极。研究结果初步表明导电CVD金刚石有着优异的电火花加工性能。     

Comparative characterization of chemical vapor deposition diamond films by scanning cathodoluminescence microscopy

Thin diamond films grown by chemical vapor deposition (CVD) process on Si substrates under similar deposition conditions in the microwave-excited (MW) and direct current (DC) plasma discharges were taken for comparative examination. Raman spectra, photoluminescence (PL) spectroscopy, and color cathodoluminescence scanning electron microscopy (CCL-SEM) have been used for characterization of the structure and composition features of poly-crystalline diamond films. No essential difference in Raman spectra for the CVD diamond films was detected. A significant difference was revealed in the PL spectra and in CCL-SEM images.     

FABRICATION OF DIAMOND TUBES IN BIAS-ENHANCED HOT-FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM

Deposition of diamond thin films on tungsten wire substrate with the gas mixture of ace- tone and hydrogen by using bias-enhanced hot filament chemical vapor deposition(CVD)with the tantalum wires being optimized arranged is investigated.The self-supported diamond tubes are ob- tained by etching away the tungsten substrates.The quality of the diamond film before and after the removal of substrates is observed by scanning electron microscope(SEM)and Raman spectrum.The results show that the cylindrical diamond tubes with good quality and uniform thickness are obtained on tungsten wires by using bias enhanced hot filament CVD.The compressive stress in diamond film formed during the deposition is released after the substrate etches away by mixture of H_2O_2 and NH_4 OH.There is no residual stress in diamond tube after substrate removal.     

CVD金刚石薄膜涂层刀具精密切削表面质量的研究

CVD金刚石薄膜刀具的表面粗糙度和加工过程中的切削用量是影响加工工件表面质量的关键因素.为改进CVD沉积工艺,减小金刚石薄膜表面粗糙度,提出了合理控制沉积气压的新工艺方法,并通过切削试验研究了不同沉积工艺下制备的CVD薄膜涂层刀具和加工过程中不同切削用量对精密切削表面质量的影响.     

CVD金刚石薄膜涂层刀具精密切削表面质量的研究

CVD金刚石薄膜刀具的表面粗糙度及加工过程中的切削用量是影响加工工件表面质量的关键因素。为改进CVD沉积工艺 ,减小金刚石薄膜表面粗糙度 ,提出了合理控制沉积气压的新工艺方法 ,并通过切削试验研究了不同沉积工艺下制备的CVD薄膜涂层刀具和加工过程中不同切削用量对精密切削表面质量的影响。     

High efficiency fine boring of monocrystalline silicon ingot by electrical discharge machining

This article deals with high efficiency and high accuracy fine boring in a monocrystalline silicon ingot by electrical discharge machining (EDM). In manufacturing process of integrated circuits, a plasma-etching process is used for removing oxidation films. This process has recently been examined for use of monocrystalline silicon as the electrode to minimize the contamination. However, it is difficult to machine silicon accurately by the conventional diamond drilling method, because the material removal is due to brittle fracture. The machining force in the EDM process is very small compared with that in conventional machining, therefore, the possibility of high efficiency and high accuracy boring holes in silicon ingot by EDM is experimentally investigated. The removal rate of monocrystalline silicon by EDM is much higher than that of steel, while the electrode wear is extremely small. The improvement method leads to a better hole without chipping at the exit of hole or sticking of the insulator on the wall of hole. Furthermore, it is proved that even a high aspect ratio of about 200 boring is possible.     

CVD金刚石厚膜焊接刀具的试验研究

提出一种制作CVD金刚石厚膜焊接刀具的新工艺。采用电子辅助化学气相沉积法 (EACVD)制备直径10 0mm、厚度 0 8～ 1mm的金刚石厚膜 ;通过对金刚石刀头表面进行金属化处理 (化学气相沉积W膜 ) ,改善了金刚石的耐高温性及与低熔点合金焊料的浸润性 ,可在大气环境下实现金刚石刀头与刀架的焊接。车削试验结果表明 :用新工艺制作的金刚石刀具适用于精密加工     

CVD金刚石涂层拉丝模的研制与应用

:以市售大孔径 (>2mm)硬质合金拉丝模为衬底 ,经酸腐蚀去钴、研磨和还原处理后 ,以氢气和丙酮为原料 ,用穿孔直拉热丝CVD法制备了金刚石涂层。利用扫描电镜和喇曼谱图对涂层均匀性进行了评估。初步应用试验表明 ,金刚石涂层的附着力能满足实际拉伸要求 ,涂层拉丝模的工作寿命可提高 3～ 5倍。