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垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P 型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对.用光荧光 (PL) 谱、扫描电子显微镜 (SEM)和X射线双晶衍射 (XRD) 方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0 nm,半高宽达到28.9 nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰.“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″.“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性.实验结果表明腔模波长为837.2 nm,腔模波长与PL谱峰值波长相匹配. 相似文献
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研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。 相似文献
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用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实.
关键词:
CdSe/CdMnSe
量子阱
光学性质 相似文献
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研究了具有45°内反射镜的0 98μm辐射波长的应变InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱面发射半导体激光器结构,并采用MBE方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,低温(10K)光致发光(PL)和电化学C V方法检测和分析了外延薄膜的光电和结构特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长0 919μm的谱峰,谱峰范围跨跃0 911~0 932μm,双晶回摆曲线、电化学C V分布曲线显示所设计的结构基本得到实现。 相似文献
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为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层.采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对InGaAsSb/AlGaAsSb LD输出特性的影响.研究结果表明:电子阻挡层结构可有效减少2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的Auger复合,抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出,降低器件的阈值电流,同时改善了温度敏感特性. 相似文献
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用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性,由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理。 相似文献
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An iterative method for solving the inverse problem of dynamic x-ray diffraction in crystalline layers that are inhomogeneous
across their thickness is developed. The structural characteristics of an InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb heteroepitaxial system are
calculated using the method.
Zh. Tekh. Fiz. 69, 39–42 (March 1999) 相似文献
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A. Z. Li H. Li Y. G. Zhang X.Zhang Y. L. Zheng G. Y. Xu M. Qi C. Gmachl M. L. Peabody A. Y. Cho 《光学学报》2003,23(Z1)
We report the growth, fabrication, and operation of 2.0μm InGaAsSb/AlGaAsSb laser diodes and 8.5μm GaInAs/AlInAs quantum cascade lasers with low threshold current and the latest improvements in the performance of InGaAsSb photodetectors by passivation treatment. 相似文献
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L. E. Vorobjev D. A. Firsov M. Ya. Vinnichenko V. L. Zerova G. A. Melentyev M. O. Mashko L. Shterengas G. Kipshidze G. Belenky T. Hosoda 《Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics》2012,76(2):211-213
Carrier recombination processes, including the Auger recombination, are studied in InGaAsSb/AlGaAsSb quantum well nanostructures.
Based on the dynamics of photoluminescence, we estimate the emission time of an optical phonon, determined the recombination
rate as a function of optical-excitation intensity, and estimated the coefficient characterizing the rate of the resonance
Auger recombination. 相似文献
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High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy 下载免费PDF全文
The GaSb-based laser shows its superiority in the 3–4 μm wavelength range. However, for a quantum well(QW) laser structure of InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well(MQW) grown on GaSb, uniform content and high compressive strain in InGaAsSb/AlGaInAsSb are not easy to control. In this paper, the influences of the growth temperature and compressive strain on the photoluminescence(PL) property of a 3.0-μm InGaAsSb/AlGaInAsSb MQW sample are analyzed to optimize the growth parameters. Comparisons among the PL spectra of the samples indicate that the In0.485GaAs0.184Sb/Al0.3Ga0.45In0.25As0.22Sb0.78MQW with 1.72% compressive strain grown at 460 C posseses the optimum optical property. Moreover, the wavelength range of the MQW structure is extended to 3.83 μm by optimizing the parameters. 相似文献
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在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。 相似文献