渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器

采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60～160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35dB,自发发射出光功率为0.18～3.9mW.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.     

宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．     

三波长泵浦实现平坦C L-band光纤拉曼放大

本文介绍了采用三波长泵浦实现C+L- band的拉曼放大器的设计与实现.论文首先给出了理论计算与仿真结果,并在此结果的指导下完成了拉曼放大系统实验系统.测试结果表明,本论文研制的拉曼放大系统可以实现在1 536～1 607 nm,共71 nm带宽范围内的平坦放大,其平均增益为10.5 dB,增益平坦度小于±0.5 dB纹波不超过1 dB.研制的拉曼放大系统的最大有效噪声系数小于一2.96 dB,平均为一3.2 dB.研制的拉曼放大系统同时具有优良的偏振无关特性,测试得出的最大偏振相关增益小于0.4 dB.     

高芯片偏振消光比铌酸锂多功能集成光学器件

分析了铌酸锂多功能集成光学器件的偏振消光机理,设计和制作了高芯片偏振消光比的铌酸锂多功能集成光学器件。器件采用切断部分输入直波导后在切断端面选择性镀阻光膜的结构以截断射入衬底的辐射光,与芯片耦合后实现了高于85dB的芯片偏振消光比。制作的器件插入损耗小于3.5dB,分光比为48/52~52/48,半波电压Vπ小于3.5V,尾纤偏振串音小于-33dB;在-55~+85℃全温范围内,损耗变化量小于0.2dB,分光比变化小于1%,尾纤偏振串音小于-27dB,能够满足工程化应用需要。     

微型单级偏振无关光隔离器的设计与实验

研制了一种新型的微型单级偏振无关光隔离器,给出了光隔离器中自聚焦透镜、双折射晶体平行平板和法拉第旋转片的设计,介绍了光隔离器的制作方法,并对其性能进行了测试。实验结果表明:插入损耗为0.5 dB,0λ±20 nm带宽范围内最小隔离度为30 dB,最大隔离度为45 dB,偏振相关损耗小于0.1 dB,偏振模色散小于0.05 ps。     

掺饵光纤放大器用1480 nm/1550 nm波分复用器的优化设计

以组合波导理论为基础，分析了1480/1550 nm波分复用器的耦合区横截面形状和尺寸与偏振灵敏度的关系。着重比较了矩形截面和椭圆形截面二种波分复用器的偏振性能，并发现当椭圆截面的短轴与长轴之比为1:1.88时，器件性能几乎与偏振无关。研制成功的1480/1550 nm波分复用器的波长隔离度大于20 dB,偏振灵敏度小于0.1 dB,附加损耗小于0.5 dB。     

AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器

采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量为-0.40%.器件制作成脊型波导结构,并采用7°斜腔结构以有效抑制腔面反射.经蒸镀减反膜后,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于0.3dB,3dB带宽为56nm.半导体光放大器小信号增益近20dB,带宽大于55nm.在1500～1590nm波长范围内偏振灵敏度小于0.8dB,峰值增益波长的饱和输出功率达7.2dBm.     

全光学偏振控制器

提出了一种全光学偏振控制器,它能够将光纤输出的随机偏振光变为稳定的具有确定偏振态的光信号,整个器件全部采用无源光学零件实现。测试表明,该器件插入损耗小于0.7dB,偏振相关损耗小于0.02dB,并具有体积小、结构紧凑、宜于装配、与其他光器件组合简单的优点。     

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm).该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1525～1565nm)和L带(1570～1610nm).最为重要的是,在3dB光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0.7dB;光纤到光纤无损工作电流在70～90mA之间;消光比大于50dB.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景.     

质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器

报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频ＤＦＢ激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用,并减小了限制层的寄生电容;ＤＦＢ激光器的斜率效率由注入前的０．１４７ｍＷ／ｍＡ提高到０．２１６ｍＷ／ｍＡ;电容测试结果表明：质子注入使ｐｎｐｎ结构的势垒电容明显减小,激光器的寄生电容由注入前的约１００ｐＦ降至注入后的６ｐＦ;激光器的３ｄＢ调制宽带由注入前的５００ＭＨｚ提高到５．６６ＧＨｚ。高温老化筛选结果表明     

A Wavelength Tunable DBR Laser Integrated with an Electro-Absorption Modulator by a Combined Method of SAG and QWI

We report a wavelength tunable electro-absorption modulated DBR laser based on a combined method of SAG and QWI.The threshold current is 37mA and the output power at 100mA gain current is 3.5mW.When coupled to a single-mode fiber with a coupling efficiency of 15%,more than a 20dB extinction ratio is observed over the change of EAM bias from 0 to -2V.The 4.4nm continuous wavelength tuning range covers 6 channels on a 100GHz grid for WDM telecommunications.     

BIG结构的可调谐分布布拉格反射激光器

提出并制作出一种可调谐BIG-RW结构的激光器,该激光器包括两个不同耦合系数的Bragg光栅.激光器的阈值电流为38mA,输出功率大于8mW,可调谐范围是3.2nm,边模抑制比(SMSR)大于30dB,在整个调谐范围内,功率变化小于0.3dB.     

基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成

报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37mA;100mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3.5mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15%),调制器偏压在0～-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4.4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.     

Very low threshold operation of 1.52 μm GaInAsP/InP DFB buriedridge structure laser diodes entirely grown by MOCVD

1.52 μm GaInAsP/InP DFB laser diodes with a buried ridge structure were fabricated entirely by MOCVD, with a second-order corrugation on the GaInAsP guiding layer. The 5 mA minimum threshold current achieved is believed to be the lowest yet reported for DFB lasers. Single longitudinal-mode operation with a side-mode suppression ratio greater than 35 dB was obtained from 20°C (up to 16 mW) to 90°C (up to 3 mW)     

BIG结构的可调谐分布布拉格反射激光器

提出并制作出一种可调谐 BIG- RW结构的激光器 ,该激光器包括两个不同耦合系数的 Bragg光栅 .激光器的阈值电流为 38m A,输出功率大于 8m W,可调谐范围是 3.2 nm ,边模抑制比 (SMSR)大于 30 d B,在整个调谐范围内 ,功率变化小于 0 .3d B.     

Integrated HFETs and HFET lasers utilizing carbon doping

Carbon doping is used in the MBE growth of HFETs and the associated laser to provide significant improvement in the contact resistance. The lower resistance enables CW operation of the integrated FET and laser combination as opposed to previous pulsed operation. Compared to the earlier Be-doped samples the threshold is lowered from 30 mA to 18 mA, the total slope efficiency and maximum power are increased to 0.7 W/A and 30 mW from 0.5 W/A and 6 mW respectively, and the 3 dB modulation bandwidth has been extended from 4 GHz to 10 GHz.     

电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法

提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的DFB激光器,报道了器件的制作过程和主要性能,初步结果为:阈值电流38mA,激光器在100mA下出光功率4.5mW左右,调制器消光比约9dB(从+0.5V到-3.0V).对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果(出光功率仅1.5mW),我们制作的器件的出光功率有了明显的提高.     

High-power distributed Bragg reflector lasers operating at 1065nm

A report is presented on distributed Bragg reflector lasers emitting in excess of 700 mW in a single-spatial and single-spectral mode at 1065 nm. The threshold current of these devices is ~30 mA, there is an L-I slope of 0.74 W/A, and a sidemode suppression ratio greater than 30 dB. The current and thermal tuning are 0.016 A/mA and 0.7 A/degC, respectively.     

电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法

提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的 DFB激光器 ,报道了器件的制作过程和主要性能 ,初步结果为 :阈值电流 38m A ,激光器在 10 0 m A下出光功率 4 .5 m W左右 ,调制器消光比约 9d B(从+0 .5 V到 - 3.0 V) .对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果 (出光功率仅 1.5 m W) ,我们制作的器件的出光功率有了明显的提高 .