基于NAND闪存的YAFFS2文件恢复技术研究

随着经济及技术的迅猛发展,智能移动终端应用逐步普及,NAND闪存技术取得了长足的发展,基于NAND闪存的YAFFS2数据恢复技术显得日益重要。本文主要从YAFFS2简介入手,重点对文件恢复技术进行了分析和阐述,并有针对性地进行模拟实验分析,以供同行参考。     

从NAND闪存中启动U-BOOT的设计

本文介绍了S3C2410中NAND闪存的工作原理,分析了从NAND闪存启动U-BOOT的设计思路,并着重描述了NAND闪存支持U-BOOT的程序设计,移植后U-BOOT在嵌入式系统中运行良好。     

短新闻

东芝推出目前存储容量最大的嵌入式NAND闪存模块近日,东芝宣布推出128GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内同类产品的最大容量。     

YAFFS2在嵌入式系统中的实现

针对某系统程序量大,需要长时间实时存储大量数据,而目前的嵌入式系统存储容量小,不能满足需要的问题,根据FLASH具有可反复擦除和永久保存数据的特性,提出了大页NAND FLASH和YAFFS2文件系统相结合的解决方案。通过对Bootloader和嵌入式Linux内核的移植以及YAFFS2文件系统的制作,很好地解决了系统的海量存储问题。测试结果验证了该方案的可行性。     

Spansion e.MMC存储新品提供更安全可靠的数据保护

近日,嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司宣布推出面向消费、通信和工业设备市场的工业级e.MMC NAND闪存系列。新的e.MMC NAND闪存提供8GB和16GB存储密度,工作温度范围为-40℃到＋85℃,可满足上述市场对可靠、更高密度存储日益增长的需求。最新推出的Spansione.MMC闪存系列完善了Spansion领先业界的并行和串行NOR闪存以及面向嵌入式应用的SLC NAND闪存产品组合。     

基于NAND闪存的自适应闪存映射层设计

NAND闪存以非易失性、低功耗、抗辐射等优点,被广泛应用于嵌入式系统中.由于闪存写前需先擦写和高坏块率等硬件特性,成为其在应用中的障碍,需要通过闪存映射层进行存储管理.通过给出一种基于NAND型闪存的自适应闪存映射技术,对数据访问模式进行判断,为不同的访问模式提供不同粒度的地址映射方法,用于充分利用NAND闪存的优势克服其缺点,提高系统性能.该方法在Linux系统上予以实现,并进行了性能测试.     

存储器件

Numonyx NAND闪存恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gig- abytes)的eMMC存储芯片和高达8 GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储     

64GB NAND闪存存储器

Toshiba推出64GB嵌入式NAND闪存存储器模块,实现了更高容量。该芯片是6个嵌入式NADN闪存存储器模块新系列中的旗舰产品,完全符合最新e·MMC标准,设计用于各种数字消费电子产品,如智能电话、移动电话、上网本和数码摄像机。     

价格突破垄断应用更加广泛

据韩国的主要存储器厂商介绍:“在日本,许多电子词典制造厂家都开始在其产品中采用NAND型闪存替代掩膜ROM。而在韩国,几乎所有手机制造厂家的产品都已经将代码存储从N O R型转换为NAND型。”用于数据存储的闪存,通常适用于存储静态画面和音乐、动态画面以及PC数据等,其存储器的典型结构是NAND型与AG-AND型。同以NOR型为主的用于代码存储的闪存相比,易于增大容量,每位的成本低,而且写入速度快。NAND型闪存的用途正在发生巨大变化。目前主要是面向数码相机,用作存储卡的存储,最近,在嵌入式设备中正逐渐将其用于代码存储。今后几…     

SSD的现状及发展前景

半导体硬盘SSD(固态硬盘)由NAND闪存、NAND控制器以及用作缓冲存储器的DRAM所构成(见图1)。在SSD中,坏块管理、纠错编码(ECC)及单元调整等处理都由NAND控制器的闪存转换层(FTL)来执行。SSD的性能不仅取决于NAND闪存的性能,而且在很大程度上还会受到NAND控制器算法的影响。因此,在优化NAND控制器的设计时,需要考虑到NAND闪存的特性。本文将基于NAND闪存的器件技术及电路技术,以NAND控制器技术为中心,论述SSD技术的现状和今后的挑战等。     

恒忆针对无线通信、嵌入式系统和存储器市场推出新系列NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品全部采用先进的41nm制造工艺。     

Astoria大容量存储控制器加速手机连接

赛普拉斯(Cypress)半导体公司近日推出了一款支持多层单元(MLC)NAND闪存的新型West Bridge外设控制器Astoria.Astoria控制器最高可支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了三倍.     

一种用于NAND闪存的奇偶位线块编程补偿算法

为改善数据保持干扰和编程干扰对NAND闪存可靠性的影响,提出了一种新的奇偶位线块编程补偿算法。该算法利用编程干扰效应来补偿由数据保持引起的阈值漂移,修复NAND闪存因数据保持产生的误码,提高了NAND闪存的可靠性。将该算法应用于编程擦除次数为3k次的1x-nm MLC NAND闪存。实验结果表明,在数据保持时间为1年的条件下,与传统奇偶交叉编程算法相比,采用该补偿算法的NAND闪存的误码降低了93%;与读串扰恢复算法相比,采用该补偿算法的NAND闪存的误码下降了38%。     

突破HDD的瓶颈用SSD取代1.8英寸HDD

使用NAND闪存大幅度缩短计算机启动时间的方法主要有两种。一个是用集成了NAND闪存的SSD取代HDD，另一种是NAND闪存和HDD共用技术。     

与NAND Flash正面交锋Spansion舞剑意在数据闪存市场

以往NOR闪存与NAND闪存的应用市场可说是泾渭分明,前者多为小容量、代码应用,后者则主要用于大容量数据存储.然而Spansion所推出的ORNAND闪存却极有可能打破这样的界线,因为它同时具备了NOR闪存的高可靠性和快速读写能力以及NAND闪存高容量、低成本特色,大有与NAND在数据闪存市场一争高低的能力.     

NAND闪存PK微硬盘

自2005年9月美国苹果电脑公司推出2Gb／4Gb NAND闪存替代微硬盘的ipod nano以来，在便携式消费类电子产品中NAND闪存替代微硬盘的呼声日益高涨，NAND闪存VS微硬盘的竞争日趋激烈，NAND闪存能PK掉微硬盘吗？这是NAND闪存和微硬盘业界共同关心的话题。业界普遍认为，NAND闪存与微硬盘将共存很长一段时间，正如希捷CEO Bill Watkins所说：“微硬盘与NAND闪存是一对好朋友”。当前微硬盘大规模向NAND闪存转变不太可能，或许也没有必要。从长远看，哪一种存储技术将占主导尚不明确。但是，2006年初三星电子半导体CEO黄昌圭放言：“硬盘时代”正逐渐结束，“闪存时代”即将来临。从短期看，2Gb／4Gb存储容量将成为双方争夺的对象，正如isuppli公司评论：”2006年微硬盘和NAND闪存两手都要硬”。在便携式消费类电子产品中到底采用哪一种存储器，由其存储容量、成本、尺寸、功耗和可靠性来决定。     

赛普拉斯West Bridge控制器适用于PMP、PND、无线网卡及其它嵌入式应用

赛普拉斯半导体公司推出了一款具备多层单元(MLC)NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器,可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持.这款West BridgeAstoria?控制器最高支持16个MLC NAND闪存设备,而MLC NAND闪存与相同存储密度的单层单元(SLC)NAND闪存相比,其成本降低了3倍.     

2011年游戏硬件中的NAND闪存密度将增长40％以上

据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40％以上。2011年家庭游戏机的平均NAND闪存密度预计将达到923MB，比去年的629MB增长42．2％。今年手持游戏机的平均NAND闪存密度增长率将会略低，     

手机将会成为NAND闪存市场最大推动力

2005年,NAND闪存凭借面积小、容量大、成本低的优势在市场规模上首次超越NOR闪存,目前,NAND闪存已经被广泛应用于数码相机、MP3等需要大容量存储的产品中。美光NAND闪存产品经理BillLu表示,手机将会成为NAND闪存最大的市场推动力。他指出,目前大部分的2G手机中需要存储的数据量     

Numonyx NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案