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IGBT短路保护的驱动电路的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)在现代电力电子技术中得到越来越广泛的应用。文中主要对绝缘栅双极型晶体管的驱动和短路保护电路进行了研究。首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和短路保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成的IGBT具有短路保护功能的驱动电路。理论分析和实验结果证明了所设计驱动电路的可行性,而且该电路简单实用,可靠性高。 相似文献
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IGBT驱动保护电路的改良设计 总被引:10,自引:0,他引:10
在实际应用电力电子技术过程中,绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动保护电路的合理设计应根据具体器件的特性,选择合适的参数,使之实现最优驱动和有效可靠的保护.文中针对具体工程,对IGBT驱动保护电路的难点进行了分析,采用连续调节IGBT保护整定值的办法实现精确检测及使用延时判断电路用以判断真假过流的设计思想,对常用的IGBT驱动保护电路进行改进,克服了在使用中无过流自锁功能、过流保护的阈值过高、无法对真假过流进行判断的缺陷,获得令人满意的实验结果,已安全应用于有源电力滤波器装置中. 相似文献
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介绍了一种基于IGD515EI构成的IGBT串联应用的驱动电路,能够提供最大15A的驱动电流,采用光纤传输控制信号,解决了所有与MOSFET和IGBT有关的驱动、保护和电位隔离问题。应用结果表明,该驱动电路使用简单、可靠,具有优良的驱动和保护性能,尤其是其联合运用端口的设计非常适用于IGBT的串联使用。采用串联IGBT作为刚管调制器的放电开关,解决了单只IGBT耐压不够的问题。文中还介绍了IGBT栅极驱动电路和IGBT电压均衡电路的设计方法,并给出调制器的输出波形。 相似文献
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The essential requirements of IGBT drive circuit is expounded.The short-circuit characteristic and over-current protection of the IGBT are described in detail.Finally,the practical drive and protection circuits are designed.The practical re-sults show that the circuit is good in performance. 相似文献
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介绍了一种新型H桥驱动器TX-DA841HD,该电路具有强大的IGBT驱动与保护功能,可以选择四路直接驱动和桥臂互补驱动两种工作模式。电路具有IGBT的短路阈值、保护盲区时间、盲区时间设置等功能,短路保护运用缓降栅压结合软关断技术,软降栅压时间可通过外接电路自由整定。电路本身自带隔离驱动电源。试验证明该电路具有良好的驱动及保护能力。 相似文献
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The drive circuit requirements of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) are explained with the aid of an analytical model. It is shown that nonquasi-static effects limit the influence of the drive circuit on the time rate-of-change of anode voltage. Model results are compared with measured turn-on and turn-off waveforms for different drive, load, and feedback circuits, and for different IGBT base lifetimes 相似文献
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介绍了大功率IGBT的驱动原理及工作特性,设计了一种高可靠可维护具有四路驱动信号输出的高电压大功率IGBT驱动电路,给出了电路的原理图和关键参数设计原理及相关波形。 相似文献
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提出了新型IGBT驱动脉冲变压器隔离传输电路。脉冲变压器原边隔直电容把PWM变换成正负窄脉冲信号,副边RS触发器对窄脉冲进行还原。在PSPICE软件中对电路进行了仿真并做了相关实验,仿真和实验结果验证了新型电路在解决大功率IGBT驱动信号传输中占空比受限等问题的有效性,并在成本、体积等方面有一定的优势。 相似文献
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绝缘栅双极晶体管IGBT兼有功率三极管(GTR)和场效应管(MOSFET)的优点,在电子技术、电气传动、开关电源等场合有着广泛的应用。实际使用时,由于装置设计和应用时的意外原因,IGBT可能发生短路,急剧增大的集电极电流将造成器件永久性破坏。IGBT过电流的能力极差,快熔很难起到保护作用,因此现代IGBT模块内部一般都... 相似文献
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在电力电子技术中得到广泛的应用,在实际应用中合理选用IGBT的驱动电路和保护措施,是保证电路安全可靠工作的关键. 相似文献
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提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路。在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁。同时固定延时电路开始计时,经历了固定延迟时间后,电路错误信号清除,IGBT恢复正常工作状态,提高了IGBT功率回路的可靠性与安全性。将固定延时电路集成在IGBT驱动芯片中,提高了系统的集成度。采用UMC 0.6μm高压BCD工艺模型对去饱和过流检测电路进行前仿和后仿。仿真结果表明,采用线性温度补偿方法,基准电路的过流阈值电压典型值为6.97 V,温度系数为19.5×10-6/℃。IGBT开启后消隐时间为920 ns。在不同工艺角仿真中,后仿固定延迟时间在2.8~4 ms之间变化,典型值为3.3 ms,使功率回路储能元件中的冗余能量充分释放。 相似文献
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