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黄国良 《核电子学与探测技术》2014,(2):267-270
针对ACP1000堆型,研制了用于反应堆堆芯核测系统的堆芯中子和温度测量探测器组件。论文介绍了探测器组件的设计、性能指标和试验结果。设计的堆芯中子和温度探测器组件集成了中子自给能探测器和测温元件并固定安装在堆内。试验结果表明测量敏感元件的性能满足设计要求,外壳和密封组件能保证反应堆一回路压力边界的要求。堆芯测量探测器组件一体化的设计可提高安全性和可靠性,实现实时测量,可用于反应堆保护。 相似文献
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SOMPAS是上海核工程研究设计院有限公司(SNERDI)开发的堆芯在线监测系统,其中子学计算核心为SNERDI最新开发的堆芯核设计系统SCAP。SCAP在SOMPAS中应用前必须进行全面的测试,特别是与电厂实测值比较,以验证确认其精度、可靠性和适用性等。测试验证对象为我国自主开发的300 MWe级核电站,涵盖秦山一期和恰希玛1、2号机组总共32个循环的电厂实测数据。数值计算结果表明,SCAP具有很高的计算精度和可靠性,满足作为中子学计算核心在SOMPAS中应用的要求。 相似文献
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以人工计算结果与参考模式下的程序计算结果相比较的方法,研究堆芯中子探测器校刻系数影响因素。得出探测器灵敏度是校刻系数主要影响因素的结论。提出了一种用于安装调试阶段选择中子探测器的优化方案。 相似文献
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介绍了在实验性PWR堆上完成的深燃耗条件下测量反应性概况。用实验结论剖析了在国外核电站堆芯上应用噪声分析法对慢化剂温度系数作全燃耗期监测研究中出现的测量结果与常规方法相差2~5倍的现象。从测量公式和堆芯扰动模型图入手所作的分析结果说明,没有消除随燃耗不断增长的强自发裂变中子源干扰是产生差异的根本原因。事实说明:在多种噪声分析技术中,只有能够清除自发裂变中子源干扰的方法才能成功地应用于燃耗后堆芯的反应性测量。 相似文献
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岷江堆(MJTR)仪表控制系统用的核探测器.因距离堆芯较近.受较强的中子照射和^y辐射而使其使用寿命缩短;另外.随着堆内辐照孔道的孔径扩张、中心位置的变更及辐照样品体积的增大.使探测器处的中子信号受样品进出堆的干扰变大.对反应堆的安全运行造成不利影响。为了解决上述问题,对MJTR核探测器的布置进行了改进:本文介绍了在改进设计中.采取的措施以及设计的原则、方法和结果。改造完成后的各项调试结果表明.重新设计的探测器孔道布置和功能分配合理.完全满足设计要求。 相似文献
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陈金象 《核电子学与探测技术》1993,(2)
本文叙述了对使用在快中子飞行时间谱仪中的光电倍增管分压器电路(ORTEC269)管座的改进,改进后的时间探头的脉冲幅度、脉冲形状甄别和时间分辨的性能有了很大的改善。 相似文献
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建立了一套位置灵敏快中子探测系统.探测器为φ38×550mm长液闪,两端配以光电倍增管,入射中子的位置由两个光电倍增管输出脉冲的时间差决定,对14.9MeV中子位置分辨可达±3.1cm。 相似文献
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杨有琏 《核电子学与探测技术》1989,9(3):135-141
本文给出了铑自给能探测器的热中子灵敏度和中子灵敏度的理论计算公式、燃耗修正公式以及不同中子温度下的换算公式。运用这些公式对ZTRh 123型铑自给能探测器的热中子灵敏度和中子灵敏度进行了理论计算,并在反应堆中对其进行了实验验证。其结果表明,理论计算值和实验标定值是相吻合的。其偏差:热中子灵敏度为8.5%,中子灵敏度为3.9%。 相似文献
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A neutron flux detector composed of a bank of nine He3 detectors is developed. It is employed successfully to record neutron flux from a pulsed source as low as 5 × 102 neutrons per m2, which is about 0.5 nrem per shot. It may find applications in recording low neutron flux at large distances from the source or in detecting leakage from the radiation shield, and hence may help to estimate health hazards. 相似文献
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《中国原子能科学研究院年报(英文版)》2019,(0)
<正>Boron nitride solid-state neutron detectors have a compact structure,high detection efficiency,and strong attractiveness.Boron nitride crystal is a wide band gap semiconductor material with a band gap of 6.1 to 6.4 eV,which is an indirect band gap.P-type and N-type semiconductor materials can be obtained by doping. 相似文献