新型压电晶体La3Ga5SiO14的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6 K-1、3.8×10-6 K-1,在453.15 K时测得晶体的比热为0.90 J/g*K,并在200～ 800 nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数.     

La3Ga5SiO14晶体生长研究

报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能。     

La3Ga5SiO14晶体极图及应用

介绍一种新型压电材料La3Ga5SiO14晶体绕x轴逆时针旋转y轴极图的理论公式、计算、制作及应用。简要介绍La3Ga5SiO14晶体几种切型下的性能参数和La3Ga5SiO14晶体与SiO2晶体实际切型下的性能参数比。通过论证表明:绘制的La3Ga5SiO14晶体标准极图的各个(ok·l)面满足晶体本身不消光条件,可直观、方便地计算出La3Ga5SiO14晶体的旋转角度和方向。     

Ca3NbGa3Si2O14晶体光学和热学特性的研究

用提拉法成功地生长了一种具有La3Ga5SiO14(LGS)结构的Ca3NbGa3Si2O14(CNGS)单晶;用X-射线粉末衍射证明了其具有单一相且同LGS同构的单晶结构;DSC实验表明CNGS单晶的熔点为1349.9°C。在293.15～403.15K间测得垂直于z方向的热膨胀系数为1.7×10-6/K,而在283.15和433.15K的温度范围内z方向的热膨胀几乎不变。在300.42K测得晶体的比热为0.763J/mol·K;并在190～3200nm间测其透过谱。     

La3Ga5SiO14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为：介电常数ε11=18.27,ε33=52.26；压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N；弹性柔顺常数S11^E=9.28pm^2/N,S33^3E=6.14pm^2/N,S12^E=-2.72pm^2/N,S13^E=-2.33pm^2/N,S14^E=-3.48pm^2/N,S44^3E=20.56pm^2/N,S66^E=24.0pm^2/N。     

La3Ga5.5Ta0. 5O14晶体的生长及性能研究

采用提拉法生长出了直径为φ54 mm的La3Ga5.5Ta0.5O14晶体,晶体透明,无气泡,无包裹体,无条纹.同时对晶体的压电常数、介电常数、透光光谱及其声表面波器件性能进行了测试,并绘制了晶体的极图.实验结果表明La3Ga5.5Ta0.5O14晶体具有优异的压电性能.     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

La3Al0.5Ga5Ta0.5O14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Al0.5Ga0.5Ta0.5O14(简称LAGT)单晶的相对介电常数,压电应变常数和弹性柔顺常数,并和La3Ga5.5Ta0.5O14(LGT)作了比较。LAGT的介电常数1ε1=22.8,3ε3=72.4;压电应变常数d11=7.6 pC/N,d14=-4.37 pC/N;弹性柔顺常数s1E1=9.45 pm2/N,s3E3=5.59 pm2/N,s1E2=-2.95 pm2/N,s1E3=-2.20 pm2/N,s1E4=-2.58 pm2/N,s4E4=21.43 pm2/N,s6E6=24.80 pm2/N。     

YP_5O_(14):Er~(3+),Tm~(3+)晶体的合成

研究了水热法合成晶体,浓度配比、生长温度对晶体生长习性的影响.合成了一系列化学计量比的Y_(1-x-0.3)Er_(0.3)Tm_xP_5O_(14)(x=0.01～0.1)晶体,观察和分析了晶体的缺陷及成因,测定和讨论了晶体结构.     

Yb:GdYAl3(BO3)4晶体的生长及性质研究

采用助熔剂法生长了Yb：GdYAl3（BO3）4晶体。测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱。该晶体在960nm和974nm处存在两个吸收带，适合InGaAs泵浦；在1002nm和1044nm处各存在一荧光谱峰。研究了晶体的热学性质，平行于c轴方向的热膨胀系数约为α轴方向的5．4倍。采用化学腐蚀光学显微法研究晶体缺陷证明Yb：GdYAl3（BO3）4中存在孪晶结构。     

La3Ga5SiO14晶体电光调Q高重复频率瓦级紫外激光器

报道了一台激光二极管(LD)双端面抽运Nd:YVO4晶体腔内三倍频355 nm紫外激光器.采用La3Ga5SiO14(LGS)高重复频率电光调Q技术,U型平凹腔结构设计,在腔内用I类相位匹配的LiB3O5(LBO)晶体实现二倍频,Ⅱ类相位匹配的LBO晶体实现三倍频,获得了高效率、高峰值功率、高重复频率的355 nm紫外...     

A3BGa3Si2O14晶体的结构、光学性质的系统研究

用提拉法成功地生长了具有La3Ga5SiO14(LGS)结构的A3BGa3Si2O14(A=Ca，Sr；B=Nb，Ta)系列单晶；用X-射线粉末衍射证明了其单晶结构，并在200-3200nm间测其透过谱。     

铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究

该文报道了La3Ga5.5Nb0.5O14压电晶体的生长及其压电性能。采用提拉法成功生长了55 mm×150mm的晶体,晶体透明、无包裹体。采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并研究了头尾之间性能差异性。测试结果表明头尾之间的差异性在3%以内,表明晶体存在良好的性能均匀性。     

Mg_2SiO_4:Cr~(3+)晶体的生长及其特性

介绍了用提拉法生长的Mg_2SiO_4:Cr~(3+)单晶的生长、结构和形态特征,测定了该晶体的吸收谱和荧光谱。荧光谱电子振动边带在800～1400nm,吸收谱中有一定的Fe~(3+)吸收。     

Tb∶YAl3(BO3)4晶体的生长与光谱性质

采用助溶剂法成功地生长了Tb:YAl_3(BO_3)_4晶体。测量了晶体的室温透过谱和荧光光谱。晶体的透光波段较宽,紫外截止吸收边在230nm附近。实验表明,在一定能量光的激发下,晶体在485nm、542nm、590nm、622nm处可产生强弱不同的发射谱峰。在542nm处最强,对应于Tb~(3+)的~5D_4→~7F_5发射。Tb:Al_3(BO_3)_4晶体的比热为0.755 0 J/g·℃