采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步。通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V。利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板。     

8位移位寄存器数据输出控制驱动电路及其应用

Ｓ９９３８移位寄存器数据输出控制驱动电路是一种正向设计的超高速数字专用集成电路，在－５５－＋８５℃下的工作频率达４００ＭＨｚ以上，具有数据传输控制驱动能力，使用方便，工作稳定可靠。介绍了其工作原理及性能特点，并给出了一些实际的典型应用电路。     

有源OLED全p-TFT屏上驱动电路设计

为了提高显示屏的成品率,降低成本,提出了一种由全p沟道TFT构成的屏上驱动电路。基础电路部分包括反相器和移位寄存器,屏上驱动电路主要是行驱动电路和列驱动电路。行驱动电路和列驱动电路基本上都是由反相器和移位寄存器构成,全部采用p-TFT来构成驱动电路。该驱动电路工作正常,能够实现CMOS驱动电路的功能,驱动OLED器件正常发光。通过仿真验证和理论分析表明该驱动电路不仅性能稳定而且成本低、成品率高、外接引线少及外围驱动电路复杂性低。     

低温多晶硅TFT技术的发展

本文综述低温多晶硅（LTPS）TFT技术的最新进展情况。该技术目前的研究前沿是：（1）制作高性能的TFT；（2）在柔性衬底上制作LTPS TFT；（3）驱动有机发光器件的TFT；（4）LTPS TFT的新应用。同时还展望了LTPS TFT技术的未来发展趋势。     

新一代简单易用的驱动电路SKYPER

赛米控公司提出的SKYPER概念为不同的IGBT模块和控制器之间提供了一个灵活且可扩展的接口。该驱动电路非常简单易用，可作为任何变换器的驱动方案。     

带有重叠输出信号的共享节点双下拉式结构的无定形硅栅驱动电路

采用无定形硅（a—Si）TFT的一种新型栅极驱动电路已经研制成功．该电路拥有共享节点双下拉式交流（SDAC）结构,以共享节点控制两个相邻的阶段,减少了TFT的数量．由于电路内节点的充电时间延长,重叠的时钟信号扩大了稳定运行的温度范围。可以发现在60℃时加速寿命超过1000个小时,具有良好的温漂应力（BTS）特点。因此,无定形硅栅极驱动电路成功并入单线弧式14．1英寸XGA（扩展图形阵列）（1024×RGB×758）TFT-LCD面板．     

具有容错功能的OLED有源驱动电路

以有机电致发光器件(OLED)为基础的显示或照明器件,通常会受到短路故障的影响,从而使得像素失效,降低面板的亮度,进而严重地影响亮度的均匀性,并且会产生大量的功耗.本文介绍了一种新的有源OLED驱动电路,以自动检测在OLED中发生的短路故障并切换至备用OLED.该电路采用p型低温多晶硅薄膜晶体管制造.当发生短路故障时,本电路可以在不改变驱动电流的情况下,保持OLED像素的亮度维持不变.实验结果表明,本电路不仅具有容错功能,而且与标准电路相比可以显著地降低功耗.     

用于OLED的a-Si TFT有源驱动阵列保护电路的分析

在模拟与仿真的基础上．根据MOS器件的源漏击穿特性．分析了用于a-Si TFT有源驱动阵列的外围保护电路的工作原理;同时根据所采用的有源OLED单元像素驱动电路的特点,确定了电源线、数据线、信号线上的相应保护电路形式。该保护电路可应用于OLED的有源驱动TFT阵列。     

基于HD66773的TFT OLED驱动电路的设计

介绍了用驱动TFT LCD的HD66773芯片驱动5cm(2in)TFT OLED的电路设计．通过对芯片做出合理的特殊设置,最终可以显示出8种颜色,达到初步点亮TFT OLED的目的．并给出了初始化软件流程和MCU接口。     

OLED有源驱动TFT阵列的一种测试方法

提出了一种检测有源驱动OLED TFT阵列的方法,这种电流检测方法是结合TFT的制作工艺进行的. 在只增加一块光刻版的情况下,有效地解决了在含有2个TFT的单元像素电路中,检测驱动管困难的难题. 这种检测方法能够进行快速的全屏检测,具有精度高,对TFT阵列无损伤的特点.     

Poly-Si TFTs integrated gate driver circuit with charge-sharing structure

A p-type low-temperature poly-Si thin film transistors (LTPS TFTs) integrated gate driver using 2 non-overlapped clocks is proposed. This gate driver features charge-sharing structure to turn off buffer TFT and suppresses voltage feed-through effects. It is analyzed that the conventional gate driver suffers from waveform distortions due to voltage uncertainty of internal nodes for the initial period. The proposed charge-sharing structure also helps to suppress the unexpected pulses during the initialization phases. The proposed gate driver shows a simple circuit, as only 6 TFTs and 1 capacitor are used for single-stage, and the buffer TFT is used for both pulling-down and pulling-up of output electrode. Feasibility of the proposed gate driver is proven through detailed analyses. Investigations show that voltage bootrapping can be maintained once the bootrapping capacitance is larger than 0.8 pF, and pulse of gate driver outputs can be reduced to 5 μs. The proposed gate driver can still function properly with positive V_TH shift within 0.4 V and negative V_TH shift within-1.2 V and it is robust and promising for high-resolution display.