用气相色谱法测定半导体工艺中固、液、气相砷、磷及化合物的新方法

本文研究了一种快速、灵敏、可靠的高温氢还原—气相色谱分析方法，样品不需预处理，使气相色谱仪能直接测定固、液、气相样品中砷、磷及其化合物的含量．砷、磷的检测限分别为0．01mg／L和0．003mg／L．相对偏差分别为6．2％和8．6％，测定范围为10－5～10－11．并与经典方法进行对比，结果一致．     

SiC p／Al复合材料镀金工艺研究

对SiC体积分数高达60％以上的SiCp／A l金属基复合材料进行镀金工艺实验,工艺分步实施化学镀镍、热处理、电镀镍、电镀金步骤,得到的镀层表面光滑平整,没有明显的结瘤和夹杂,与基材的结合力强。该工艺作为SiC p／A l可焊性表面处理技术之一,兼具可接触导通、良好的焊接性能、能兼容各种助焊剂,对于铝基复合材料表面处理具有十分重要意义。     

单扫示波极谱测定高纯石英砂中的痕量铜

本文研究了一个测定高纯石英砂中痕量铜的极话催化波。该波系铜与巯基乙酸，邻菲绕啉三元络合物吸附波。通过硫脲的参与，聚乙烯醇的增敏作用，铜含量０．００１～０．０８μｇ／１０ｍＬ，铜含量与催化电流成正比关系。用该法测定高纯石英砂中痕量铜，快速简便，准确，加标回收８９％～１０９％．     

铜含量对锡-铜无铅焊料和镍之间固态老化反应的影响

共晶99．3Sn-0．7Cu焊料(比重：％，Sn-0．7Cu)是波峰焊接中共晶Sn-Pb焊料的最有前途的无铅替代物。而镍则被用于几个商品化的重要表面涂覆领域，如象；金／镍和钯／镍等。据献报道，在含镍表面涂层上实施Sn-Cu焊料的再流时，铜含量的微小变化会产生完全不同的反应物[1，2]。随着铜浓度的上升，反应物从(Ni 1-xCux)3Sn4转变为(Cu1-yNiy)6Sn5 (Ni1-xCu)3Sn4，而后变为(Cu1-y、NiY)6Sn5。在本项目的研究中，我们将自己在前期研究成果的基础上[2]，对铜含量的细微变化对Sn-Cu焊料和镍之间固态老化反应的影响进行了更加深入的研究。特别是在160、180和225℃下，将四种Sn-xCu焊料(x=0．2、0．4、0．6和0．7)与镍进行了反应。结果发现，在经充足时间的高温固态老化后，对铜沉积层的明显感应性消失了。对于各种不同的铜含量的研究发现，老化后在界面上形成相同类型的金属间化合物。在界面上可看到在(Ni1-x)(Cux)3Sn4层上形成了一层(Cu1-yNiY)6Sn5。研究表明再流焊一结束金属间化合物的最初差别可在高温老化后消失。(Cu1-yNiY)6Sn5与(Ni1-xCux)3Sn4的生长机理是不同的，本中已指出了这一点。     

提高成品PCB表面离子清洁度

按照IPC标准，成品PCB的表面离子清洁度不应超过相当于氯化钠1．56ug／Cm2，即1006ug／in2，实验方法按照IPC-TM-650方法23．25的溶剂萃取液电阻法(Resistivity of Sofvent Extract)。然而目前有些PCB的高端用户对离子清洁度的要求远高于lPC标准，达到2．05ug／in2，经过正常的生产流程即使在成形后用70℃的DI水洗也达不到此要求，因此需要专门的化学办法来降低离子残留，提高表面离子清洁度。     

精密高功率薄膜贴片电阻

PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻具有低至±25×10^-6／℃的绝对TCR，低至±0．1％的容差，在-55℃～＋125℃的宽温范围内具有1．0～2．5W的高功率等级。     

氯胺酮对He-Ne激光照射促人正常皮肤成纤维细胞增殖作用的影响

针对动物模型伤口的光生物调节作用，用He-Xe激光对人正常皮肤成纤维细胞增殖的促进作用作为细胞模型．研究了麻醉药氯胺酮的影响。用MTT法测定细胞增殖作用。分别研究了1．56mW／cm^2He—Ne激光(0，10，30，100和300s照射)对人正常皮肤成纤维细胞的增殖作用和氯胺酮(0，0．6，1．2和2．0μg／mL)预处理划He—Ne激光(300s照射)细胞增殖作用的影响。氯胺酮(0．6，1．2,2．0μg/mL)预处理能抑制468．7mJ／cm^2He—Ne激光促人正常皮肤成纤维细胞增殖的作用。这说明动物实验中用于麻醉的药物可能对激光促进伤口愈合的实验结果有影响。     

激光化学镀金形成精细图形

在无氰电镀液镀槽内电镀铁镍合金基础上利用激光化学镀金导线而形成精细电路图形。激光的功率和扫描速度直接影响导线的高度和宽度。能获得均匀的高度和宽度金导线和与导体最好的结合力。如导体的高度为0．7μm和宽度为37μm，这时的激光功率为0．5W和扫描速度为5μm／s。     

复杂形体目标激光散射特征测量系统的研制

复杂形体目标激光散射特征的测量系统中，利用反射式离轴光路满足了可见到远红外波段的测量需要，通过大孔径（250mm）物方远心接收光路实现了对实际远场的模拟测量，以光滑镀金球体作为标准器，可直接获得任意目标散射截面的绝对值。在0．6328、1．06和10．6μm三个波段针对标准器的实测结果表明，平均误差小于4．95％。     

一种无氰置换镀金技术的研究

文章探讨了无氰亚硫酸金盐置换镀金的工艺参数对镀速及镀液稳定性的影响,具体讨论了金盐与络合剂在不同比例条件下的镀速变化。测试使用稳定剂的镀液对镍离子的耐受能力以表征其生产稳定性和使用寿命。使用优化后的镀液对印制电路板进行实际使用试验,并对镀层的结合力、可焊性进行测试。最终确定了一种置换镀金的最佳工艺条件,镀液不含氰、丙二腈等带有CN-的物质,适用于化学镀镍/置换镀金、化学镀镍/化学镀钯/置换镀金等工艺的清洁生产。     

超高精度Bulk Metal箔电阻

H和HZ系列Bulk Metal箔电阻具有0．001％的容差,5～1．84MΩ的阻值范围,在至少6年内（未受潮）的工厂寿命稳定率可达±0．0002％,上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2×10^-6／℃,Z-FOil HZ系列的最大TCR仅有±0．2×10^-6／℃。     

铝箔腐蚀液中硫酸根离子的测定

在阳离子表面活性剂——十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＭＡＢ）的存在下，用比浊法对铝箔蚀腐液中微量硫酸根离子进行测定。硫酸根离子含量在３．０×１０－４～２．４×１０－３ｇ／５５ｍＬ范围内符合比耳定律     

新型高效空调铝翅片清洗剂的研制

新型高效空调铝翅片清洗剂主要由10．0～20．0％(质量分数)苛性钠、0．5～5．2％环保型表面活性剂、0．25～1．0％缓蚀剂和0～0．6％助剂等组成。使用该清洗剂清洗空调铝翅片，清洗时间仅为1～3min，清洗率可高达96%，腐蚀微小，使用极为方便。该产品稳定性好，可采用普通塑料喷雾瓶包装。     

绝缘电阻测试仪

61-795绝缘电阻测试仪是一种检测设备绝缘性能的袖珍型仪表,测试电压最高达1000V,精度为2．0％;绝缘电阻最高达4000MΩ,精度2．0％;导通性为0．01～20．00Ω,精度2．0％;AC电压量程为0～600．0V,精度0．8％,DC电压为0～600．0V,精度0．5％。该仪表执行的安全标准是UL／IEc／EN61010-131-031、EN61557、EN613261＋1A、（EMC）CATIII-1000V／CAT IV-600V。     

高可靠镀Ni／Au工艺及其在微波PTFE电路上的应用

介绍了高可靠电镀Ｎｉ／Ａｕ工艺在ＰＴＦＥ微波印制电路上的应用，并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ｎｉ／Ａｕ镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比，在软基材ＰＴＦＥ敷铜箔板上镀Ｎｉ／Ａｕ工艺能大大提高微波电路的可焊性，高温稳定性和长期可靠性，并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。     

空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。     

采用硼氢化物或二甲基胺基硼烷作为还原剂的化学镀金

采用碱金属硼氢化物或二甲基胺基硼烷作为还原剂的化学镀金溶液已经研究成功。这是一个在金属和合金上真正自动催化並淀积纯净、柔软金层的过程。这些金属和合金是金、银、铜、铁、钴、镍、钯、铂、黄铜、柯伐、镍铁合金和钢等。在70～80℃时,硼氢化物槽液的淀积速度约为0.5～3微米/小时,而二甲基胺基硼烷槽液的淀积速度比前者约低一倍。这种镀层用来作为薄膜集成电路中的导体是适宜的。     

15V．双通道3A单片同步降压型稳压器

LTC3634在3．6～15V的输入电压范围内工作，从而非常适用于双节锂离子电池应用以及5V和12V中间总线系统。其采用独特的恒定频率／受控接通时间、电流模式架构，这种架构非常适用于从一个12V输入电源以高开关频率给DDR应用供电。其终端电压VTT设定为VDDQ的1／2，可低至0．6V，准确度为±1．6％。     

极低阈值脊形波导GaAs/AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管

本文报道，极低阈值电流脊形波导～0．85μmGaAs／AsGaAsGRIN－SCHSQW激光二极管优化设计、器件制备和特性．获得了2．2～4mA的极低阈值电流和～0．6mW／mA的微分量子效率．70℃，3mW恒功率寿命试验，推测器件平均工作寿命大于4万小时．     

固定频率硅EconOscillator振荡器

Dallas Semiconductor推出DS1088L，一款低成本、固定频率硅EconOscillator振荡器。DS1088L是单输出方波发生器，经过工厂校准，可产生频率为312kHz-133MHz的输出，DS1088L的初始精度为±0．3％(在3．3V、25℃条件下)，在整个工作温度范围内(2．7V～3．6V电源电压，-20℃～+85℃温度范围)精度高达±1．0％。在一些对尺寸、功耗、启动可靠性和冲击／振动容限要求苛刻的应用中，可用DS1088L替代晶体振荡器。