a—Si／Mo多层膜的制备及其结构研究

本文报导了利用射频溅射技术成功地获得具有一维周期结构的ａ－Ｓｉ／Ｍｏ多层膜。分析讨论了可控厚度多层膜的生长条件；利用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＳＩＭＳ、ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ等分析手段，对多层膜进行了结构分析；同时还研究了膜的热学性能，结果表明这种多层膜有很好的热稳定性。     

Co—Si多层膜的透射电镜研究

本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。     

Ti膜磁控溅射及光吸收特性研究

介绍了射频磁控溅射金属Ｔｉ膜工艺，对Ｔｉ膜光吸收特性进行了测试，用经典电子理论分析了光吸收机理。     

微晶／非晶Si：C：H半导体多层膜的结构研究

采用普通辉光放电分解硅烷的方法，沉积具有交替微晶和非晶Ｓｉ：Ｃ：Ｈ亚层的多层样样品。从喇曼散射结果分析，样品具有明显的微晶和非晶两仃结构；在低角度Ｘ射线衍射谱中，观察到了多级的衍射峰，了多层结构的存在。     

磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究

采用磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品.用室温光致发光(PL)、Raman散射和AFM图谱对样品进行表征.结果表明:Ge/Si多层膜中的PL发光峰主要来自于Ge晶粒,并且Ge晶粒生长的均匀性对PL发光影响较大,生长均匀的Ge晶粒中量子限域效应明显,随着晶粒的减小,PL发光主峰发生蓝移;在Ge晶粒均匀性较差时,PL发光峰强度较弱,量子限域效应不明显.     

GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究

采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.     

Mo／SiO2软X射线多层膜的结构研究

本文用磁控射方法制备了几种Ｍｏ／ＳｉＯ２多层膜。在北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）的衍射站上测量了其氏角Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱，并利用基于光学动力学理论的递推公式对低角Ｘ射线衍射谱进行了拟合，定量分析了膜层的周期结构和界面度以及界面度与层数、层厚的关系。同时用高分辩电子显微镜（ＨＲＥＭ）对一样品的截面进行了观察。     

磁控溅射工艺和热处理规范对Ni膜电阻率的影响

用平面磁控溅射技术在不同衬底上制备了多晶Ni薄膜。研究了放电电流、衬底表面粗糙度及沉积后的退火处理对Ni膜电阻率的影响。用X射线衍射分析了膜的结构。     

Si_（1—x）Gex／Si应变层超晶格的结构稳定性研究

利用喇曼散射谱研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ合金型超晶格的结构热稳定性．对超晶格中折叠声学模和各类光学模的散射谱所作的定量分析表明：在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽已经非常严重；相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关．对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％．同时，我们也从理论上证实并且在实验上观察到：折叠声学模的带隙随超晶格界面展宽而减小．     

GexSi1—x／Si应变层超晶格的结构特性与器件应用

近年来,Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格的研究日渐活跃与成熟。本文试从半导体物理与器件应用的角度出发,着重介绍了这种超晶格的各种结构特性,并简要评述了以 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结形成的各种新型半导体器件的研究进展。     

Analytical Model for Calculating Trapped Charge in a—Si：H and Its Relative Error Analysis

Using a Taylor series expansion for the Fermi-Dirac occupation func-tion,an accurate analytical model is developed for calculating the trapped-charge density in a-Si:H considering deep and tail states simultaneously without simplification.This is followed by the investigation of the relative errors of the localized trapped charge density in a-Si:H at all temperatures as a function of the quasi-Fermi levll in the band gap cal-culated from three published analytical models and our above model.The results suggest that the relative errors of all these models increase notably as Efn is very closed to Ec(e.g.,-0.01eV相似文献   

磁控溅射Cu膜的表面形貌演化研究

采用磁控溅射工艺在单晶Si<111>衬底上制备300 nm厚的Cu膜,用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,研究工艺参数对Cu膜表面形貌的影响.结果表明:随着沉积温度、溅射功率及偏压的变化,Cu膜表面粗糙度历经了不同的演化过程.沉积粒子的扩散和晶粒生长之间的竞争决定了薄膜表面演化.     

微晶/非晶Si∶ C∶ H半导体多层膜的结构研究

采用普通辉光放电分解硅烷的方法，沉积了具有交替微晶和非晶Ｓｉ∶Ｃ∶Ｈ亚层的多层膜样品。从喇曼散射结果分析，样品具有明显的微晶和非晶两相结构；在低角度Ｘ射线衍射谱中，观察到了多级的衍射峰，证明了多层结构的存在