功率MOSFET产品可靠性问题的分析与改善

MOS集成电路中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)作为开关器件被封测公司广泛生产并应用到各个领域.从产品设计到封装成型的过程中伴随着各种可靠性问题[1].测试工序是对产品性能最重要的检验和把关,测试数据将会...     

塑封IC失效分析及对策

阐述了塑封IC(集成电路)常见的失效现象,对塑封IC失效的几种分析方法和分析技术做了叙述,然后提出塑封IC失效分析的步骤,并从设计、工艺和材料控制、包装、运输等方面提出改善塑封IC可靠性的措施。     

二极管器件漏电失效分析及改进措施

通过外观检查、开盖检查、 I/V曲线测试、微光显微镜观测和扫描电子显微镜检查等分析手段,结合芯片结构,对漏电失效的二极管器件进行分析,定位器件的失效位置,确定器件漏电失效的机理。形成一套针对半导体分立器件的失效分析流程,并对漏电失效模式提出了相应的优化改进措施。     

产品可靠性测试失效的预分析

产品可靠性测试的失效分析是半导体失效分析的重要也是极具挑战性的部分。而物性失效分析前的预分析（包括电性失效分析）又是整个产品可靠性失效分析中的关键步骤。充分和合理的预分析是提高物性失效分析成功率的重要保障。本文主要根据不同的产品可靠性测试的失效类型和机理来介绍常用的预分析方法和手段,并通过具体的实例图片来阐述预分析的重要作用。将预分析融合于产品可靠性失效分析中,将取得事半功倍的效果。     

功率MOSFET的封装失效分析

在半导体器件的生产工艺过程中,MOSFET器件的芯片结构不同于普通晶体管,而且,MOSFET器件对后道装配的要求也较高,文中从生产实际出发,对功率MOSFET器件在测试中出现的不良品进行了分析,并对其失效机理和影响因素进行了探讨,最后提出了相应的改进措施。     

MEMS麦克风的失效机理及失效分析

MEMS麦克风是将音频信号转换成电信号的微型传感器,其工作过程涉及到声学、机械学和微电子学等学科。随着MEMS麦克风封装尺寸的不断缩小和声学性能的不断提升,以电学测试结果作为失效分析出发点的传统半导体失效分析方法越来越难以满足MEMS麦克风失效分析的需要。针对MEMS麦克风独特的封装结构和工作原理,其失效分析方法主要包括声学性能测试、机械性能测试和电学性能测试,并结合传统的半导体物理失效分析手段来找到真正的失效原因及失效机理。     

加强失效分析,提高产品可靠性

通过对一批七专电路键合点严重腐蚀的失效分析,提出了相应的改进措施,使产品的可靠性得到了保障.     

临建建筑热环境测试分析及改进措施探讨

对夏季和秋季西安市组合板房热环境进行了测试,在充分认识人体与周围环境热湿交换机理的基础上,结合热舒适相关指标对测试所得热环境主要参数,即温湿度和风速等进行了理论分析与计算,并基于分析和计算结果,针对现有板房热环境存在的问题,提出切实可行的改善措施。     

一款700V功率场效应管失效分析与改进

对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。     

SiP组件中芯片失效机理与失效分析

由于分析手段与分析设备的限制,系统级封装（SiP）组件的芯片在失效分析的过程中带有一定的盲目性。结合故障树分析方法,以PM O S芯片失效为例,讨论了SiP组件常见的管芯失效机理：电应力失效、热应力失效、机械损伤和环境应力失效以及相应的失效现象;最后从设计和工艺角度提出了降低各种失效机理发生的改进措施。     

沟槽型MOSFET的发展

在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSOMOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。     

片式多层陶瓷电容失效模式研究

介绍了片式陶瓷电容的基本结构和材料特性及其常见的短路、开路和参数漂移失效模式;分析了失效的主要原因.结合工程实践,从器件选型、用前筛选、版图及结构设计和装配工艺选择等方面,给出了提高多层陶瓷电容使用可靠性的建议.     

某型机械滤波器失效分析和对策

某型导弹接收机在进行温度循环高温试验时发生故障,经过排查定位为所使用的机械滤波器失效,即滤波器高温时输出端绝缘电阻降低。该文通过对机械滤波器封装结构、工艺制造流程等方面进行分析,得出机械滤波器的失效原因,并通过有效措施控制该器件失效问题再次发生,有效提高了该器件质量的可靠性。     

电子组装中焊点的失效分析

焊点的失效分析是电子产品质量和可靠性保证体系的重要组成部分。本文首先概述了焊点的失效机理,主要包括热致失效、机械失效、电化学失效。在此基础之上,综述了焊点失效分析的基本流程与各类失效分析方法,并对无铅条件下该领域的研究作了简要评述。     

适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析

本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .     

轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟

轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息.