PECVD方法制备SnO2气敏薄膜的电子显微镜研究

通过ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜的显微结构，讨论了沉积速率与颗粒大小的关系；在Ｓｉ、陶瓷和ＫＢｒ３种不同衬底上沉积的ＳｎＯ＿２薄膜的差异以及退火对ＳｎＯ＿２膜结晶状态的影响。结果表明，ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜是非晶态，具有柱状结构。退火使非晶ＳｎＯ＿２膜向着多晶方向转化，演化过程为：非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。     

PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性研究

用 Ｂ２Ｈ６和 ＳｉＨ４作反应气体,通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法,在 Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜,用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测,并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温、压力为 ８ × １０－４ Ｐａ条件下,对 ＢＮ薄膜的电流一电压特性进行测量,并得到了 Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ特性曲线,ＢＮ膜的场发射开启电场为９ Ｖ／μｍ,在电场３７．５ Ｖ／μｍ时,电流密度达到２４．８ ｍＡ／ｃｍ２。     

PECVD法沉积氢化非晶硅薄膜内应力的研究

利用等离子体增强化学气相沉积技术在硅基底上沉积了氢化非晶硅(α-Si:H)薄膜,通过纳米压入仪、电子薄膜应力分布仪、傅里叶变换红外光谱仪等表征技术,研究了沉积时的工艺参数(射频功率、沉积温度、工作压强)对薄膜内应力的影响,对薄膜的本征应力、热应力进行分析,并探讨了射频功率对薄膜红外吸收光谱的影响。研究结果表明,提高射频功率能够使薄膜从张应力转变为压应力,且压应力随射频功率的增大而增大;提高工作压强能够使薄膜从压应力转变为张应力;应力随沉积温度的升高而增大;薄膜中氢含量、SiH组态、SiH2组态含量随射频功率的增大而增大。通过优化工艺,得到了沉积具有较小张应力薄膜的工艺参数(射频功率30W,沉积温度250℃,气体流量80cm3/min(标准状态),工作压强67Pa),并将其成功应用于非晶硅薄膜自支撑悬空结构。     

PECVD法生长的氧化锡薄膜的结构与性能研究

非化学计量的二氧化锡是一种 n 型半导体材料,具有良好的光电特性。本文用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法生长 SnO_(2-x)薄膜,并进行了生长条件与其结构和性能的研究。结果表明:不同的淀积条件,可以获得从多晶到非晶态不同结构、化学稳定性良好、可见光透射率高、具有不同电导率的 SnO_(2-x)薄膜材料。     

PCVD法制备精细陶瓷薄膜

综述了等离子体化学气相沉积法(PCVD)的特点,等离子体对化学气相沉积的作用,PCVD精细陶瓷薄膜制备系统的结构和选择,并展望了该法的发展及在精细陶瓷薄膜制备中的应用。     

SiOx包装阻隔薄膜的发展现状及其制备方法

SiOx阻隔薄膜具有优异的阻隔性,并且光透过性和微波透过性好,在阻隔包装领域的应用前景广泛,介绍了SiOx包装阻隔薄膜的制备方法:物理气相沉积,等离子体聚合及大气下等离子体聚合等.     

PECVD非晶SiOx∶H薄膜的Si—O—Si键红外吸收特性研究

用傅里叶红外光谱(FT-IR)测试分析了等离子体化学气相沉积法沉积的非晶SiOx∶H(0≤x≤2.0)薄膜中的Si—O—Si伸缩振动模与氧含量x的关系。Si—O—Si伸缩振动模在1000和1150cm     

用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能

用PECVD技术制备氧化硅薄膜,研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响,探讨了制备兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。结果表明,在阳极位置生成的薄膜具有Si(CH3)nO有机氧化硅结构,在380~780 nm波长范围内透光率高达90%~98%,但是薄膜的结构疏松,硬度仅为2 GPa。提高制备温度可使薄膜硬度提高至6 GPa,但是透光率略有降低;在阴极位置生成的薄膜具有无机氧化硅复合非晶碳结构,薄膜结构致密,硬度可达15 GPa,但是在380~780 nm波长范围内透光性差;增加O2反应气体可促使碳与氧反应生成二氧化碳,非晶碳结构消失,薄膜透光率提高到99%,但是硬度降低到9 GPa。     

射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化,使微晶硅薄膜沉积速率达到了3/s左右。     

MPECVD中氧化硅阻隔层性能的研究

介绍了用磁增强等离子体化学气相沉积技术在连续(Roll-to-Roll)系统中,在PET薄膜表面沉积纳米SiOx阻隔层薄膜的工艺。研究了不同工艺条件下,薄膜的阻隔性能、颜色变化及其影响因素。实验得到:在单体和氧气的混合反应气体中,提高氧气的比例有利于增加薄膜透明性,并且得到的氧化硅膜由黄褐色趋近于无色透明。通过红外光谱仪对薄膜的成分进行了分析,用分光光度计和紫外可见分光光度计测量了薄膜颜色和透明性变化,分析了其影响产生的机理。     

PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H)

首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象,发光峰位于530 nm(2.34eV)左右.通过红外光谱(FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手段观察分析了薄膜的组成和结构,薄膜形成了纳米硅在氧化硅网络中的镶嵌式结构.发光强度随薄膜中氧含量的增加而提高,认为薄膜的发光主要是由于跟氧有关的结构缺陷引起的.     

微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究

介绍了微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）制备金刚石薄膜的研究情况，重点论述了该法的制备工艺对金刚石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。     

PECVD法制备硅基ZnO薄膜光学性能的研究

使用薄膜分析系统研究在不同衬底温度下生长的硅基ZnO薄膜反射谱,了解衬底温度对薄膜的结晶状况影响。研究结果表明,随衬底温度的升高,晶粒之间融合长大,薄膜的折射率增大;在衬底温度450℃时生长的ZnO薄膜,薄膜的折射率最大为4.2,反射谱的吸收边更接近380nm,在520nm处有一个弱的吸收峰,与ZnO薄膜的PL谱测试结果一致。再升高衬底温度,晶粒会出现异常长大,晶粒排布将受到影响,导致薄膜折射率下降。     

等离子体增强化学气相沉积氮化钛薄膜

等离子增强化学气相沉积法(PCVD)是在物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的一种沉积方法。它兼有 PVD 和 CVD 方法的优点。介绍了 PCVD的原理和所研制的一台 PCVD 设备。分析了用 CVD 法和 PCVD 法制备的硬质膜的性能。所分析的性能有:显微硬度、抗弯强度、粘结牢度、机加工性能。     

氮化硼薄膜制备技术研究进展

简述了氮化硼的优异性能和广阔的应用前景,概述了氮化硼薄膜的制备方法,分析了薄膜制备过程中的影响因素,最后对氮化硼薄膜今后的研究方向提出展望.     

金刚石薄膜CVD制备方法及其评述

较系统地介绍了低压下化学气相合成(CVD)金刚石薄膜的主要方法 ,并对各种方法的优劣作了简要的评述     

射频等离子体聚合SiOx薄膜的研究

在射频等离子体放电条件下，以六甲基二硅氧烷（Hexamethyldisilone，HMDSO）为单体，氧气为反应气体，在PET薄膜及载玻片上聚合SiOx薄膜。通过红外光谱（FTIR）分析了工作压强、功率、单体氧气比、聚合时间等对聚合薄膜的结构和沉积速度的影响；通过扫描电子显微镜（SEM）观察了薄膜的表面形貌；通过表面轮廓仪测试了薄膜厚度，计算了沉积速率并对薄膜的均匀性做了研究。在38％恒温水浴箱中进行的水蒸汽阻隔实验表明，PET薄膜的阻隔性能得到有效的提高。     

化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜.表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料.