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相似文献
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1.
为了提高C/C复合材料的高温抗氧化性能,设计了网状的SiC填充高性能的MoSi2和微量的TiSi2涂层。用包埋法制备了C/C复合材料SiC-MoSi2-TiSi2复相陶瓷单层涂层,对制备涂层的化学形成机理进行了分析。结果表明,在选择的实验条件下,制备设计的涂层是完全可行的,实验制备的涂层在1773K有氧环境下具有良好的抗氧化性能。涂层抗氧化性能的提高是因为在高温氧化下涂层表面产生了致密、连续、稳定的玻璃质氧化物。  相似文献   

2.
为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理。结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100~1250℃均可成功得到SiC-MoSi2涂层,1100℃所得涂层结构疏松多孔;1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多,表层为致密SiC涂层;1150~1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC为连续相的SiC-MoSi2双相陶瓷涂层。  相似文献   

3.
为提高C/C-SiC复合材料的超高温抗烧蚀性能,通过浆料涂刷和高温烧结相结合的方法在C/C-SiC复合材料表面制备了ZrB2-SiC复相陶瓷涂层,利用EDS、SEM对涂层的成分及微观形貌进行了分析。对涂层材料的力学性能和抗烧蚀性能进行了表征,结果表明:制备的ZrB2-SiC复相陶瓷涂层保护C/C-SiC复合材料的拉伸强度、弯曲强度及剪切强度分别为147 MPa、355 MPa和21.9 MPa,与无涂层保护的针刺C/C-SiC复合材料的力学性能相比略有下降。涂层材料具有良好的抗氧化烧蚀性能,经过热流密度为3 200 kW/m2的氧乙炔火焰烧蚀600 s试验,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为0.001 mm/s和0.0006 g/s。  相似文献   

4.
采用刷涂-烧结法,分别在C/C-SiC复合材料和C/C复合材料表面制备了ZrB2基陶瓷复合涂层。利用EDS,SEM分析陶瓷涂层的成分及微观形貌,通过对比C/C-SiC基体和C/C基体的表面涂层,对C/C-SiC基体表面涂层的高温烧结机理进行了探究。结果表明:高温下C/C-SiC基体中的硅组元会溢出,造成样品质量损失;同时,溢出的硅组元能渗入到陶瓷涂层中,形成了以硅为主要黏结相,ZrB2等陶瓷相弥散分布的陶瓷涂层;与C/C基体相比,硅组元的溢出能有效促进涂层与基体之间的界面结合。在对基体进行预处理的基础上,采用低温真空脱胶,高温常压烧结,能够制备出结构致密、无裂纹并与基体结合牢固的ZrB2基陶瓷涂层。  相似文献   

5.
为了提高C/C复合材料的抗高温氧化性能,用包埋法在C/C复合材料表面制备SiC内涂层,再在其上刷涂制备Y2O3-ZrO2-Al2O3多组分涂层,对制备涂层的各种影响因素进行分析,确定最佳制备工艺,并考察了该涂层的组织结构和抗高温氧化性能。结果表明:最佳制备条件为以SiC为内涂层、10%聚乙烯醇(PVA)为分散剂,以Y2O3,ZrO2,Al2O3,Si及C为原料,室温涂覆,升温到1 873 K保温30 min,反复进行5次;该涂层在1 873 K下氧化19 h,失重率仅1.76%,有良好的短期抗高温氧化性能,氧化29 h时失重率为6.23%,涂层可能已破坏失效;涂层的失效是由于其表面形成的孔洞和裂纹不能愈合而导致的。  相似文献   

6.
C/C复合材料SiC/ZrB_2-MoSi_2复合涂层的抗氧化机制   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
采用包埋法和刷涂法在C/C复合材料基体上制备SiC/ZrB2-MoSi2抗氧化涂层,并利用SEM和XRD等测试手段对抗氧化涂层的组织结构、抗氧化性能和抗氧化机制进行了研究。研究结果表明,SiC内涂层可有效解决外涂层ZrB2-MoSi2与C/C复合材料基体间热膨胀系数差异较大的难题。刷涂法制备的ZrB2-MoSi2外涂层虽然有大量的龟裂纹,但涂层试样在1500℃空气中氧化10 h,失重率仅为3.58%,涂层具有很好的自愈合能力,表现出优异的高温抗氧化性能和抗热震性能。  相似文献   

7.
等离子喷涂制备ZrB2-MoSi2复合涂层及其抗氧化性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用喷雾干燥与真空烧结技术制备出不同MoSi2含量的ZrB2-MoSi2球形团聚粉末, 并以平均粒径为30 μm的ZrB2-MoSi2团聚粉末为原料, 利用大气等离子喷涂法在C/C复合材料表面制备包覆完整的ZrB2-MoSi2复合涂层, 借助XRD、SEM等对涂层的组织结构以及涂层的抗氧化性能进行了研究。结果表明: ZrB2-MoSi2涂层结构均匀致密, 结合强度达到7.2 MPa。适当含量的MoSi2, 可以提高涂层的抗高温氧化性能; ZrB2-40wt%MoSi2涂层C/C复合材料试样在1500℃静态空气中氧化9 h, 失重率仅为1.7%, 涂层具有良好的自愈合能力, 表现出优异的抗高温氧化性能。  相似文献   

8.
采用涂刷法在C/C复合材料表面制备了ZrB2-SiC复合涂层,采用XRD和SEM分析了涂层的相组成和微观结构,并研究了ZrB2-SiC/(C/C)复合涂层材料在1 200℃和1 500℃的静态氧化性能。结果表明:ZrB2-SiC涂层结构致密,无明显的孔洞和裂纹;涂层有效改善了材料的抗氧化性能,经1 200℃静态氧化60 min后,ZrB2-SiC/(C/C)复合涂层材料失重率仅为2.4%,1 500℃时失重率增大至15%,小于无涂层保护的C/C复合材料(~35%)。ZrB2-SiC/(C/C)复合涂层材料氧化后,形成了含有ZrO2等高熔点颗粒的玻璃态SiO2氧化膜,能够有效抑制氧的扩散,从而提高了C/C复合材料抗氧化性能。   相似文献   

9.
Y_2Si_2O_7晶须增强MoSi_2复合涂层的制备及性能   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料表面制备了Y2Si2O7晶须增强MoSi2复合抗氧化外涂层。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成和显微结构进行了表征。研究了Y2Si2O7晶须对复合涂层显微结构和抗氧化性能的影响。结果表明:Y2Si2O7晶须对复合涂层的显微结构和抗氧化性能有较大的影响。与MoSi2/SiC涂层相比,Y2Si2O7-MoSi2/SiC复合涂层均匀、致密,无显微裂纹。在静态空气氧化过程中,Y2Si2O7晶须有效阻止了外涂层的开裂,提高了涂层的抗氧化性能。该复合涂层试样在1773 K下氧化100 h,失重仅为0.73%,相应的失重速率仅为1.48×10-5g.cm-2.h-1。  相似文献   

10.
为了在高温下保护C/C复合材料,分别采用包埋法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,采用两步包埋法在C/C复合材料表面制备了SiC-MoSi_2-Si复合梯度涂层。借助X射线衍射仪、扫描电镜,背散射及能谱等分析手段,研究了涂层的结构。在氧化炉内进行氧化实验,分析发现SiC-MoSi_2-Si复合梯度涂层由SiC内层、SiC-Si中间层和MoSi_2-Si-SiC外层构成。等温氧化测试结果表明:SiC涂层在1 773 K氧化10 h后失重0.8%,而复合涂层试样在1 773 K具有良好的抗氧化性能,在1773 K下氧化10 h后不存在氧化失重,增重0.65%。增重是由于涂层氧化生成SiO_2,吸收了氧原子的原因,并且预测随着氧化的进行,由于O2在涂层中的扩散,与基体反应,试样会表现出失重。  相似文献   

11.
利用溶胶-凝胶原理,分别制备了SiO2-ZrO2-B2O3系统中六种不同成分的凝胶玻璃试样。通过分级热处理,系统地检验了其各自析晶性能以及高温结构稳定性。确定-最佳水解工艺参数以使SiO2-ZrO2-B2O3凝胶玻璃在1500℃保温30min后的析晶量(vol%)仅为1%-3%。同时,详细分析了ZrO2的引入对凝胶玻璃系统析晶的促进作用,以及少量B2O3对系统析晶的抑制作用。  相似文献   

12.
采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2 离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2 (x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体.研究了Ba2 离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2 离子取代Sr2 离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7:Eu2 荧光体发光性能的影响.XRD结果表明Ba2 离子取代Sr2 格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大.进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2 离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2 离子外层电子受Ba2 离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移.同时,掺入Ba2 离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2 离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降.Ba2 离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2 (x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7:Eu0.022 荧光体的发射峰相比出现红移.  相似文献   

13.
为了提高P2O5-PbBr2-PbF2系铅卤磷酸盐玻璃的热稳定性,采用非等温差热分析实验研究了P2O5-PbBr2-PbF2玻璃的抗析晶能力和非等温析晶特性与成分之间的关系。研究结果表明:在不同的加热速率下,采用ΔT、H′和Hr等玻璃热稳定性判据判断玻璃的抗析晶能力均难以得到一致的结果:kD(T)和kb(T)判据结合了析晶动力学和热力学因素,不受玻璃成分和升温速率影响,是比较好的玻璃抗析晶能力的判据;采用kD(T)和kb(T)判据发现玻璃的成分为PbF2/(PbBr2 PbF2)≈0.3时,样品具有最强的玻璃形成能力;P2O5-PbBr2-PbF2玻璃析晶的Avrami指数n约为2,表明玻璃在加热过程中同时存在表面析晶和整体析晶。  相似文献   

14.
利用XRD研究了激光致溅射沉积GeSbTe薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变,从FCC到HCP的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比.GeSbTe薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响.  相似文献   

15.
1.IntroductionAs mentioned in our previous paper[1],it is important to study the phase diagram ofthe system Nb_2O_5-MnO-SiO_2.The newcompound 4MnO·Nb_2O_5 has been ascer-tained in the binary system MnO-Nb_2O_5[1].Then,there are three stable compounds  相似文献   

16.
不同制备方法对CeO2-ZrO2-Al2O3材料性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
分别采用共沉淀法、胶溶法和胶溶?共沉淀法制备了Ce0.5Zr0.5O2(12wt%)-Al2O3(CZA)储氧材料,并通过XRD、低温N2吸附?脱附、氧脉冲吸附(OSC)、程序升温还原(H2-TPR)和O2-程序升温脱附(O2-TPD)等手段进行了表征.材料经过1000℃焙烧后,XRD结果表明,三种方法制备的样品均存在CeO2-ZrO2立方萤石和γ-Al2O3两种晶型.N2吸附?脱附结果表明,胶溶?共沉淀法制备的样品,具有最大的比表面积和孔容,分别为146.2m2/g和0.5mL/g,且有最佳的孔径分布;氧脉冲吸附(OSC)和H2-TPR结果表明胶溶?共沉淀法制备的材料,具有最佳的储氧性能和还原能力;同时实验还比较了经1100℃焙烧对几种方法制备样品性能的影响.  相似文献   

17.
TiO2-SiO2系统凝胶玻璃薄膜折射率的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
应用光度法研究了溶胶-凝胶系统组成、热处理温度对iO2-SiO2系统凝胶玻璃薄膜折射率的影响规律。随薄膜中TiO2含量的增加以及热处理温度的升高,薄膜的折射率逐渐增大。通过调整TiO2-SiO2系统的组成及适当的热处理温度,可实现TiO2-SiO2系统薄膜折射率在1.5-2.4之间的连续变化。  相似文献   

18.
运用了N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法进行羰基镍粉中镁的测定。介绍了镁最佳测定条件及呈良好线性范围的浓度。同时对样品消化处理条件及在测定中样品的干扰因素进行了综合考虑。该方法具有操作简便,容易掌握,分析周期短等特点。其灵敏度又能达到要求。重复性与准确度都达到了实验室分析计量测试和质量控制的要求。  相似文献   

19.
采用传统熔体冷却法制备TiO_2掺杂量为0~1.8wt%的TiO_2/SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃,探讨了不同TiO_2质量分数对玻璃体积密度、弯曲强度、压缩强度、压缩模量和结构稳定性的影响规律。结果发现:当TiO_2含量小于1.5wt%时,TiO_2/SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃的光学带隙随着TiO_2含量的增加而减小、玻璃结构更加稳定,其体积密度、弯曲强度、压缩强度以及压缩模量均随着TiO_2含量的增加而上升;当TiO_2含量超过1.5wt%后,该玻璃体系的结构稳定性和力学性能均随着TiO_2含量增加而下降;当TiO_2的质量分数为1.5wt%时,玻璃的光学带隙达到最小值为3.75eV,各项力学性能达到最优,其弯曲强度为110.36 MPa、压缩强度为240.18 MPa、压缩模量为115.03GPa。适量TiO_2的掺杂,减少了玻璃网络结构中非桥氧的数量,使孤立的岛状网络单元重新聚合,从而显著提高了玻璃的结构稳定性和力学性能;但过量的TiO_2迫使TiO_2/SiO_2-Al_2O_3-MgO系玻璃结构中的桥氧键断裂生成非桥氧,由此显著降低了其结构稳定性和力学性能。  相似文献   

20.
治癌用Fe2O3-CaO-SiO2基铁磁性微晶玻璃的研究现状   总被引:1,自引:0,他引:1  
向其军  卢安贤  贾明 《材料导报》2004,18(Z2):240-242,246
Fe2O3-CaO-SiO2基铁磁性微晶玻璃因具有磁滞生热性能和良好的生物活性而成为理想的温热疗法治疗癌症的热种子材料.主要介绍了Fe2O3-CaO-SiO2基铁磁性微晶玻璃的组成结构、制备、主要性能及其应用.  相似文献   

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