离子束溅射氟碳高分子膜的X射线能谱研究

在不同放电条件下利用离子束溅射法制备了聚酯膜基底上的氟碳高分子膜，用光电子能谱法对其结构进行了分析表征，研究发现，该条件下制备的氟碳高分子由－CF3，－CF2，－CF和－C－两个基团组成，随着施加能量的增大，富氟组分增加导致氟碳比增加，但在较高能量下这种变化趋缓，氟碳高分子在这种能量变化中逐渐向直链、饱和，较小分子量的结构转变。     

钨硅酸光敏高分子膜的制备和光色性研究

用旋转涂布法制得了ＰＶＡ－Ｈ４ＳｉＷ１２Ｏ４０体系的光敏膜，研究了膜对光的响应情况，发现体系对光的响应时间与体系内各成份的浓度无关，红外结果表明光色性的产生源于体系内ＰＶＡ的－ＯＨ基与钨硅酸阴离子中Ｏｃ的相互作用，其过程具有可逆性。     

溶胶-凝胶法制备二氧化硅光学膜

探讨了在线温度和提拉速度对溶胶－凝胶法制备的ＳｉＯ２光学膜光学性质的影响，考察了热处理温度对ＳｉＯ２光学膜表面散射率的影响。结果表明：用溶胶－凝胶法制成的ＳｉＯ２光学膜随着在线温度的升高，膜的厚度呈线性减少，减少的速度为０．０９ｎｍ／℃；室温下ＳｉＯ２光学膜膜厚提拉速度呈指数增长，指数等于０．５４；ＳｉＯ２光学膜表面散射率随热处理温度的升高而增大，且在４００℃左右有一个增大的突变点。     

彩色显像管滤光膜的制备与性能研究

以叠氮基聚乙烯醇为感光体系，群青为颜料，采用粉浆曝光法制备蓝色滤光膜。探讨了滤光膜的厚度，颜料的含量等因素对滤光膜性能的影响。实验结果表明，与空白玻璃板相比较魇涂膜玻璃板的工有很大的提高。     

用分子复制法制备具有分子识别功能的高分子膜

将分子复制法应用于功能性高分子膜的制备中，以1，3－二甲基黄嘌呤（茶碱，THO）为模板分子，含有成膜骨干残基和功能残基的丙烯腈－丙烯酸的共聚物为膜材料，用相转化沉淀法制备了具有THO分子识别功能的高分子膜，FT－IR及NMR测试结果表明：制备的高分子膜中，THO模板分子和膜中的丙烯酸功能残基存在着氢键键合作用。大量的极性醋酸水溶液可抽出膜中的模板分子。THO溶液和与模板分子具有相似结构的1，3，7－三甲基黄嘌呤(咖啡因，CAF）溶液的基质透过实验结果：进入膜结构中THO分子的量远大于CAF分子，这表明制备的高分子膜具有THO分子识别功能。实验结果还表明：进入膜结构中THO分子的量与相转化沉淀法制膜时乔膜液中模板分子的添加量成正比。     

热诱导相分离法制备高分子微孔膜的原理与进展

简述了热诱导相分离(TIPS)法制备高分子微孔膜的相平衡热力学及相分离动力学原理,并对国内外研究进展进行了评述.     

Sol-gel法介孔SiO2膜的制备工艺研究

以正硅酸乙酯为硅源，氨水为催化剂，研究了sol-gel法介孔SiO₂膜的制备工艺，得到了制备SiO₂溶胶的优化工艺条件。发现催化剂氨的浓度是影响SiO₂溶胶质量的关键因素，在影响SiO₂膜制备的众多因素中，溶胶pH值、溶胶浓度和成膜助剂是影响膜制备的关键因素。实验发现，在适宜的条件例如合适的pH值下，溶胶-凝胶-干燥过程具有自适应性，能够自动调节凝胶和干燥速度，从而使凝胶干燥过程中存在的收缩在很大程度上得到减少甚至避免。采用液-液排除法对优化条件下制备的SiO₂膜的孔径分布进行了表征，结果表明，在实验条件下所获得的SiO₂膜的孔径分布在8.8～14.4nm。     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的研究

阳极化多孔氧化铝是典型的自组织的纳米结构材料,我们用认阳极氧化法制备了多孔氧化铝膜,从得到的ＡＦＭ图象及ＦＦＴ变换,证明了在适当的电解条件下,多孔氧化铝膜具有序的六角分布的纳米孔道。     

甲壳胺与SiO2杂化材料膜制备的研究

将甲壳质在碱液中进行脱乙酰化反应,制得不同脱乙酰度,粘度的甲壳胺;制成的甲壳胺溶液与ＴＥＯＳ溶胶进行凝胶化反应,得到一种杂化材料;通过红外光谱检测和物理性质观测,发现反应温度、时间、体系的酸度对反应产物有影响,部分产物出现Ｓｉ－Ｏ－Ｃ键;凝胶化所得膜不溶解于水。     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO_2抗菌薄膜的研究

利用磁控反应溅射法在PET基底上制备了纳米TiO2 抗菌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对制得的溅射膜的微观形貌进行了表征 ,发现采用磁控溅射法在很短的时间内即可在基底上得到一层致密均匀的由纳米粒子组成的薄膜。采用光 -氧抗菌实验方法 ,研究了溅射薄膜的抗菌性能。实验结果表明溅射后的薄膜比未溅射样品具有明显的抗菌性能     

偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO：A1透明导电膜

用射频偏压磁控溅射法 ,在水冷透明聚脂胶片上制备出了附着力强的ZnO :Al (AluminiumdopedZincOxide ,AZO)透明导电膜 ,膜的最小电阻率为 1.11× 10 -3 Ωcm ,薄膜的透过率高于 85 % .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [0 0 2 ]方向的择优取向 .重点探讨了薄膜的结构、光电性质与衬底所加负偏压的关系 .     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO2抗菌薄膜的研究

利用磁控反应溅射法在PET基底上制备了纳米TiO2抗菌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对制得的溅射膜的微观形貌进行了表征，发现采用磁控溅射法在很短的时间内即可在基底上得到一层致密均匀的由纳米粒子组成的薄膜。采用光—氧抗菌实验方法，研究了溅射薄膜的抗菌性能。实验结果表明溅射后的薄膜比未溅射样品具有明显的抗菌性能。     

在（111）Si衬底上磁控溅射法制备纳米SiC薄膜

用射频磁控溅射法在硅衬底上生长出纳粒结构的碳化硅薄膜,在N2气氛下经3h1100℃退火,用X射线衍射（XRD）、付里叶红外吸收谱（FTIR）、X光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）对薄膜样品进行结构、颗粒大小、组分和形貌分析,并在室温条件下观察薄膜的光致发光现象。     

TiO_2纳米棒薄膜的水热法制备及光催化性能研究

本文以钛酸四丁酯为原料,采用水热法在FTO导电玻璃上制备了TiO_2纳米棒薄膜,应用SEM和XRD对膜层的形貌和晶型进行了分析和表征,并通过TiO_2纳米棒薄膜对甲基橙的光催化降解,研究了TiO_2纳米棒薄膜的制备条件与光催化活性的关系。结果表明:增加钛酸四丁酯的浓度和提高水热温度,都会提高样品的结晶程度,增加金红石相TiO_2的组分,使薄膜对紫外线的吸收明显增强,光催化性能显著提高。用该法制备的TiO_2纳米棒薄膜均匀、致密、无可视缺陷、稳定性好,光催化效率高,并且不产生二次污染,具有广泛的应用前景。     

溅射过程中氧分压对SiO_2薄膜程膜的影响

该工作采用光电子能谱、扫描电镜等方法研究了溅射镀膜条件对成膜质量的影响，说明溅射制膜时氧化压不能超过１３％，同时氧分压过低也对电子加速不利。     

电力电子器件表面溅射膜的保护机理研究

本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下(O_2/Ar<30%)生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层保护能屏蔽外界电荷,因而可以大幅度提高器件的耐压稳定性.     

Nb超导薄膜的射频磁控溅射和阳极化的研究

本文报道了在国产JS—450A装置上,用射频磁控溅射制作高质量Nb膜的方法,所得Nb膜的Tc可达9.2K。在CS—308闭合循环制冷机上对于用这种Nb膜制成的超导微桥进行了低温测试,得到了Ic～T的变化关系和在微波辐照下的交流I—V特性。比外,本文还介绍了Nb膜阳极化研究的实验结果,以及Nb桥弱化处理方面的工作。     

微波ECR等离子体溅射沉积T_t薄膜的结构研究

用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平均粒径,晶粒尺寸分布很窄的稳定fcc结构。在实验过程中发现可以通过对工作参数的调整控制薄膜的晶粒尺寸。我们还讨论了ECR等离子体对薄膜结构和晶粒尺寸的影响。