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本文在测试分析N 理层—隧道氧化层一多晶硅电容(N OP电容)、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容(POP电容)和EEPROM单元隧道氧化层电容(TOP电容)的I-V特性、I-t特性、V-t特性的基础上,对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析,并提出了提高隧道氧化层可靠性的具体措施。 相似文献
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对含 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究。实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力。分析研究表明 ,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的 ,F的引入可以对 Si/Si O2 界面和 Si O2 中的 O3 ≡ Si·与 Si3 ≡ Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱进行补偿 ,从而减少了初始固定正电荷和 Si/Si O2 界面态 ,提高了栅氧化层的质量。研究结果表明 ,器件的击穿电压与氧化层面积有一定的依赖关系 ,随着栅氧化层面积的减小 ,器件的击穿电压增大。 相似文献
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研究了含 N超薄栅氧化层的击穿特性 .含 N薄栅氧化层是先进行 90 0℃干氧氧化 5 m in,再把 Si O2 栅介质放入 10 0 0℃的 N2 O中退火 2 0 min而获得的 ,栅氧化层厚度为 10 nm.实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 N可以明显地起到抑制栅介质击穿的作用 .分析研究表明 ,N具有补偿 Si O2 中 O3≡ Si·和 Si3≡ Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱的作用 ,从而可以减少初始固定正电荷和 Si/ Si O2 界面态 ,因此提高了栅氧化层的抗击穿能力 相似文献
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本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。 相似文献
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薄栅氧化层击穿特性的实验研究 总被引:4,自引:5,他引:4
在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对相关击穿电荷QBD进行了实验测试和分析,研究结果表明:相关击穿电荷QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关.得出了QBD的解析表达式,并且对相关参数进行了研究 相似文献
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在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对相关击穿电荷QBD进行了实验测试和分析,研究结果表明:相关击穿电荷QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关.得出了QBD的解析表达式,并且对相关参数进行了研究. 相似文献
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超薄栅氧化层中的软击穿的击穿机理和击穿模型 总被引:1,自引:0,他引:1
软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式。当氧化层厚度小于5nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理。通过对国外软击穿研究状况的分析,对超薄栅氧化层中软击穿的失效模型和机理进行了综述。 相似文献
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采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响.研究结果表明,常规热氧化工艺制作的多晶硅介质层,在台阶侧壁存在薄弱区,多晶硅层间击穿电压仅20 V,器件在可靠性试验后容易因多晶硅层间击穿而失效.采用LPCVD淀积二氧化硅技术消除了多晶硅台阶侧壁氧化层薄弱区,其层间击穿电压大于129 V,明显改善了器件可靠性. 相似文献
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CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响.采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响.研究结果表明:栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响.栅介质氮化硅淀积后进行氧化,随着氧化时间延长,靠近栅介质氮化硅区域的多晶硅层间介质层厚度增大.增加氮化硅氧化时间到320 min,多晶硅层间薄弱区氧化层厚度增加到227 nm.在前一次多晶硅氧化后淀积一层15 nm厚氮化硅,能够很好地填充多晶硅层间介质空隙区,不会对CCD工作电压产生不利的影响. 相似文献