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本文用无机锆盐代替锆的醇盐,研究了溶胶-凝胶技术制备锆钛酸铅(简称PZT)铁电薄膜的热处理工艺、结构和电性能。研究结果表明,在Si单晶基片上制备的PZT薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜,其晶粒细小、致密,且具有良好的铁电性能,适合于制备铁电存贮器。 相似文献
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用Sol-Gel法制备了Pb(Zr_(0.5)Ti_(0.5))O_3(PZT)铁电陶瓷与薄膜,观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Sol-Gel法,可降低PZT陶瓷粉料的预烧温度约200℃,所得陶瓷致密,晶粒均匀;具有较好的介电性能。PZT陶瓷显示弥散相变特征。PZT薄膜的晶化受基底影响很大。基底晶格越完整,与PZT薄膜的晶格失配率越小,PZT薄膜的晶化就越好。采用PbTiO_3过渡层促进PZT薄膜在镀铂硅片上晶化。PbTiO_3过渡层与PZT薄膜构成串联电路。其表现电学性能与相应的PZT体材料相近。 相似文献
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铁电薄膜的电疲劳是铁电存储器等应用的主要障碍,我们用Sol-gel(溶胶-凝胶)方法制备PZT铁电薄膜,对其结构和疲劳特性的研究表明,组分及工艺因素合影响薄膜的结构,具有玫瑰花形的PZT薄膜内部存在较多的带电缺陷,在外电场作用下10^6周期后出现疲劳,改进组分配方或改进热处理工艺,使薄膜为纯钙钛矿结构,薄膜的寿命可超过10^11周期。 相似文献
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介绍了用溶胶 凝胶方法制备Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料 ,在 90 0℃ ,30min退火条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示 ,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。 相似文献
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MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
为制备符合铁电场效应晶体管( F F E T) 及铁电存储二极管( F M D) 要求的高质量铁电薄膜,采用 P L D ( Pulsed Laser Deposition) 工艺, 制备了不同 M F ( I) S 结构的硅基铁电薄膜系统由 C- V特性的对比分析可见, 影响 C- V 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 C- V 特性提出了合理设想 相似文献
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MF(I)S结构设计对硅基铁电薄膜系统C-V特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为制备符合铁电场效应晶体管( F F E T) 及铁电存储二极管( F M D) 要求的高质量铁电薄膜,采用 P L D ( Pulsed Laser Deposition) 工艺, 制备了不同 M F ( I) S 结构的硅基铁电薄膜系统由 C- V特性的对比分析可见, 影响 C- V 特性的主要因素除了衬底类型、界面特性之外, 还有薄膜的结构设计在此基础上, 为改善铁电薄膜的 C- V 特性提出了合理设想. 相似文献
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研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb(Zr0.53Ti0.47)O2薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上,探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明,这种铁电PT(53/47)薄膜具有较好的铁民性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24.8μC/cm^2,矫顽场强度Ec为70kV/cm。210kV/cm的 相似文献
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对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析。结果表明:通过多层薄膜合理的设计和厚度控制,可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现,制备多层较理想的溅射条件是衬底温度T=650℃,薄膜子层厚度约为300nm,衬底则以MgO(100)单晶、Si2(100)单晶为佳。结构分析的结果显示出:PZT以铁电膜中的晶粒排列整齐,颗粒大小均匀,基本上和衬底成定向织构,膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大, 相似文献
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用溶胶-凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向,用X射线衍射仪分析了薄膜的结晶取向,分别基于Al/PZT/ITO,1TO/PZT/1TO电容结构利用Sawyer-Tower电路原理测试了薄膜的铁电性能.结果表明,在磁控溅射法生长的1TO表面能够制备出具有钙钛矿结构的(110)取向的PZT铁电薄膜,所得薄膜的相对介电常数达到1000,剩余极化强度Pr达到和Pt基底上接近的15.2uc/cm^2,矫顽场强Ec达到70.8kV/cm.并且利用TF Analyzer 2000铁电分析仪测试了PZT铁电薄膜的疲劳特性,发现ITO底电极上PZT薄膜经过108次反转后,剩余极化强度仅下降15%.研究表明:磁控溅射法制备的掺锡氧化铟透明导电薄膜ITO可以作为铁电薄膜的上下电极. 相似文献
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以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光低温退火技术有望成功地在未来应用PZT铁电薄膜制作组件时,增加其制备工艺设计的弹性和可行性。 相似文献
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用磁控射频溅射方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb(Z0.52Ti0.48)O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明,所制备的薄膜表面致密,光滑。此Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜以钙钛矿结构为主,并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得。通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的铁电特性得 相似文献
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研制了多离子束反应溅射技术并运用该技术在多种衬底上制备晶态(Pb,La)TiO3铁电薄膜。运用多种分析技术对铁电薄膜的物化性能进行了表征。发现在铁电薄膜的近表面有富铅层。测试了铁电薄膜的电滞回线、矫顽场、折射率、吸收系数等电学和光学参数。利用该技术可在较低衬底温度下在位制备组分可调、附着力强的外延或高度择优取向的铁电薄膜。 相似文献