MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．     

Ar＋背面轰击对SiOxNy栅介质的n—MOSFET迁移率和跨导的影响

用低能量氩离子束轰击芯片背面，能改善以热氮化和快速热氮化ＳｉＯｘＮｙ为栅介质的ｎ沟的ＭＯＳＦＥＴ的特性，结果表明，在能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时，随着轰击时间的增加，跨导、沟道和有效迁移率增大，然后这些变化趋于减缓，甚至开始呈恶化趋势。快速热氮化ＳｉＯｘＮｙ 介质的ＭＯＳＦＥＴ的改善效果要比常规热氮化的好、实验证明，上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果，文中     

注氟MOSFET电离辐射响应特性

对氢氧合成栅氧化后注F的MOSFET进行了γ射线辐照试验,分析了不同注F剂量的MOSFET电离辐射响应特性。结果表明,在1×10~(15)～1×10~(16)F/cm~2F注量范围内,注F能够明显抑制辐射感生氧化物电荷和界面态的增长,且F注量越高,抑制能力越强,F的注入能减少工艺过程所带来的氧化物电荷和界面态。用Si一F结键替代其它在辐射过程中易成为电荷陷阱的应力键模型对实验结果进行了讨论。可以预测,F在Si/SiO_2界面附近和SiO_2中的行为直接与MOS结构的辐射响应相对应,而F的行为依赖于注F工艺条件。     

IR推出具有超低导通电阻的AC-DC同步整流MOSFET

服务器、笔记本电脑、液晶电视、显示适配器对AC—DCSMPS(开关电源)的功率密度要求不断提高(如图)，因此市场呼唤高效率的同步整流场效应管。     

功率MOSFET晶体管的导通电阻显著降低

STMicroelectronics公司(位于美国麻塞诸塞州的Lexington)提出了一种新的制造功率MOSFET晶体管的技术。与传统的功率MOSFET晶体管相比可以将导通电阻降低至原来的三分之一到四分之一。导通电阻可随电压的变化而变化。此项技术称为MultipleDrain Mesh(MDmesh),与该公司的已经获得专利保护的MeshOverlay horizontal layout相结合构成了新颖的漏极构造。 漏极分成许多小区,由许多垂直的p-型漏极条和许多薄的水平的n-型源极条平行排列构成。这样的漏极构成方式可以将击穿电压提高一倍。 该公司还宣称,此种技术还具有     

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程.开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程.在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加.米勒平台区对应着最大的负载电流.可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值.     

双栅器件的跨导和漏导

本文将双栅MOSFET考虑成四极器件,以电流连续、电压守恒为基础,讨论了其跨导和漏导特性。所提出的分析求解方法。可推广到任何双栅结构器件。结果表明,此方法不仅简洁、适用性广;而且物理概念清楚,将三极器件和四极器件的特性联系了起来,自然地引出了双栅器件特有的耦合概念。对于所选取的单栅模型,跨导、漏导的计算值和实验值符合良好。     

新型低开关损耗QFET功率MOSFET及应用

快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。     

一种高增益的CMOS差分跨导放大器

本文设计了一种可用于∑△A/D转换器的全差分跨导放大器（OTA）。本放大器采用0.6μm工艺实现，其两级间使用共源共栅补偿、并采用了动态共模反馈，其标定动态范围（DR）为82.8dB、开环直流增益为90.9dB，在最坏情况下需要84.3ns以稳定到0.1%的精度。     

高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

MOS器件^90Sr—^90Y源电离辐射效应研究

介绍了利用＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ源辐照装置对ＭＯＳＦＥＴ进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了ＭＯＳＦＥＴ的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。     

降低功率MOSFET导通电阻RON的研究进展

本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。     

CMOS跨导电容滤波器

提出了采用ＭＯＳＭＯＯＴＡ、ＭＩＯＴＡ和电容器设计任意滤波器的方法。通过网络函数的直接模拟，导出了任意主阶传输函数的两种ＯＴＡ－Ｃ实现电路，并在此基础同了具有最不秀源元件的任意波器。文中给出了滤波器的设计实例和ＰＳＰＩＣＥ模拟分析，以证明本文所提方法的可行性。     

高频高线性度跨导电容滤波器

为了提高滤波器的工作频率和线性度,提出一种新型跨导放大器。该跨导器采用差分和交叉耦合来改善跨导输入级直流传输特性的线性度,以及扩大输入电压允许范围;同时,为了稳定输出共模电平和增大动态范围,提出共模反馈电路和各支路增益调整方法。对该滤波器进行理论分析和验证,结果表明,Gm-C滤波器的截止频率为159.6MHz,过渡带宽大于45dB,动态范围为64dB,具有较好的高频和高线性度特性。     

线性跨导运算放大器的改进设计

针对现有的线性跨导运算放大器存在的主要问题设计了一个新的线性ＯＴＡ，模拟结果表明在输入电压从－０．８Ｖ到＋０．８Ｖ变化时，其线性误差小于±１．５％。     

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件,将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半,在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和H65mΩ。     

低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计

研究了低压沟槽功率MOSFET(<100V)在不同耐压下导通电阻最优化设计的差别。给出了确定不同耐压MOSFET参数的方法,简要分析了沟槽MOSFET的导通电阻;利用Sentaurus软件对器件的电性能进行模拟仿真。理论和仿真结果均表明,耐压高的沟槽MOSFET的导通电阻比耐压低的沟槽MOSFET更接近理想导通电阻,并且,最优导通电阻和最优沟槽宽度随着耐压的提高而逐渐增大。     

超低导通电阻MOSFET

SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET,两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有极低的导通电阻,以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM,优值系数）。     

宽带运算跨导放大器OPA660

介绍了Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司生产的宽带运算跨导放大器ＯＰＡ６６０的特性和工作原理，分析了它的三种基本组态以及与三极管电路的异同，对使用中的具体问题作了说明，并介绍了二个典型的应用电路。