APS对PPy/ SiO2纳米导电复合材料的界面改性研究

首先用不同百分含量的氨丙基三乙氧基硅烷(APS)处理SiO2，然后以水为反应介质．通过化学氧化聚合法合成PPy／APS-SiO2纳米复合材料．并利用热失重和四探针对复合材料进行表征和测试。结果表明用APS处理过的SiO2合成的复合材料的电导率和稳定性都有很大提高．其中用1％APS-SiO2合成的复合材料电导率最高，为38．46S／cm。     

硅烷偶联剂在PPy/SiO2纳米导电复合材料制备中的应用

描述了一种合成PPy／SiO2纳米复合材料的新方法。首先用不同百分含量的氨丙基三乙氧基硅烷(APS)处理SiO2,然后通过化学氧化聚合法合成PPy／APS—SiO2纳米复合材料。文中讨论了偶联剂的使用对复合材料的影响及其作用机理。结果表明,用APS处理过的SiO2合成的复合材料其PPy含量、电导率和稳定性都有很大提高,其中用1％APS—SiO2合成的复合材料电导率最高,为38．4S／cm。文中还阐述了偶联剂的预处理对PPy／SiO2纳米复合材料形貌的影响。     

PPy／SiO2纳米复合材料的合成与导电性能

以乙醚反应介质，用化学方法合成了聚吡咯纳米复合材料，利用红外光谱，四探针技术和透射镜表征了这些材料的组成，结构和导电性能，结果表明，载流子在ＰＰｙ分子链之间和ＰＰｙ聚集体之间有的传导性。     

PPy／SiO2纳米复合材料导电机理的研究

在水介质中的化学方法合成了ＰＰｙ／ＳｉＯ２纳米复合材料，并利用元素分析，四探针技术和透射电镜等研究了它的导电机理。结果表明，载流于可以分子链内，分子链之间和聚合物聚集体颗粒之间传导。     

聚吡咯及其复合材料的合成与导电性能研究

以水为反应介质,用硅烷偶联剂(MPS)对纳米级粒子二氧化硅(SiO2)进行预处理,用化学氧化聚合方法合成了聚吡咯/二氧化硅(PPy/MPS-SiO2)复合材料.对影响聚合反应的诸因素(温度、时间、搅拌速度等)进行了探讨,利用红外光谱、元素分析、电镜、四探针技术表征了这些材料的组成、结构和性能.     

PVPy/MWNTs纳米复合材料的制备及其导电性能研究

通过原位聚合法制备了聚3-戊酰基吡咯(PVPy)/多壁碳纳米管(MWNTs)纳米复合材料。利用FT-IR,1 HNMR,XRD,SEM,TEM,TGA等分析方法对样品进行了结构和性能研究。FT-IR,SEM与TEM表明,PVPy与MWNTs间并没有发生化学反应,MWNTs仅作为3-戊酰基吡咯(VPy)聚合的模板,且VPy仅在MWNTs的外表面均匀的发生聚合。XRD谱显示,PVPy/MWNTs纳米复合材料中MWNTs的两个特征结晶峰(2θ=25.82,43.10°)强度随着VPy/MWNTs投料比增加而逐渐降低直至接近消失。导电性能研究发现,通过MWNTs与PVPy复合,可以显著的提高PVPy/MWNTs纳米复合材料的导电性,其电导率分别达到1.42S/cm(VPy/MWNTs=2.5/1)与0.22S/cm(VPy/MWNTs=5/1)。     

聚甲基丙烯酸甲酯/膨胀石墨纳米导电复合材料的制备与表征

通过原位插层聚合制备了聚甲基丙烯酸甲酯/膨胀石墨纳米导电复合材料,其室温导电渗滤阈值约为3%(质量分数),当膨胀石墨的质量分数为8%时,室温电导率可高达60 S/cm。通过TEM、SEM观察了复合材料的形貌,用DSC测定其热力学性能并探讨了不同外加电压对PMM A/膨胀石墨纳米导电复合材料体积电导率的影响,同时研究了复合材料的拉伸强度。     

TiN/聚吡咯纳米复合材料的制备及表征

采用氨解法制备了纳米氮化钛(TiN)粉体,对纳米TiN粉体进行表面改性,使其均匀分散到吡咯单体中.采用原位聚合法制备了TiN/聚吡咯(PPy)纳米复合材料.对合成的复合材料用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、四探针测试仪等方法进行了表征与检测.结果表明:PPy成功地包覆在TiN纳米颗粒表面,形成了纳米TiN/PPy复合材料.复合材料具有优良的电性能.     

聚吡咯/蒙脱土纳米复合材料的表征与复合机理

以水为介质，用化学氧化就地吸附聚合法(in：situpolymerization)制备了聚吡咯(PPy)／蒙脱土(MMT)纳米复合导电材料。利用红外光措(FT-IR)、热失重(TGA)、X射线衍射(XRD)和四探针技术表征了材料的组成、结构和性能。结果表明PPy键已进入MMT内层空间，二者达到了纳米级复合。纳米复合材料的电导率已达50S／cm。     

PMMA-b-PHEA/纳米SiO_2复合材料的制备和表征

通过分步法合成了PMMA-b-PHEA嵌段共聚物,采用硅烷偶联剂KH-570对纳米SiO2进行改性,得到活化SiO2,进而在THF溶剂中制备出PMMA-b-PHEA/纳米SiO2复合材料,通过GPC、FTIR、TGA、DTA、SEM等方法对嵌段共聚物以及复合材料的结构和性能进行了分析。结果表明:嵌段共聚物PMMA-b-PHEA与活化纳米SiO2形成复合材料,且纳米SiO2粒子在聚合物基体上分散性较好。与嵌段共聚物PMMA-b-PHEA相比,复合材料的热稳定性能明显提高。     

聚吡咯导电复合材料结构和特性研究

介绍了低密度聚乙烯（聚苯乙烯）／聚吡咯复合材料的导电特性。发现复合材料的导电率和聚吡咯含量的关系可用“渗流理论”来描述，复合材料制备工艺强烈地影响其微观结构从而影响渗流门槛值。讨论了复合材料导电率的温度依赖性行为和结构的关系。     

颗粒填充导电复合材料的传导特性

介绍了导电聚吡咯颗粒作为填充相,聚乙烯和聚苯乙烯作为基体相的导电复合材料的结构、导电特性、导电率的温度依赖性以及导热特性等.讨论了颗粒填充复合材料的制备工艺、结构、传导特性之间的关系.      

苯乙烯-N苯基马来酰亚胺共聚物/蒙脱土纳米复合材料的制备与表征

分别使用无机蒙脱土和有机蒙脱土用乳液插层的方法制备了苯乙烯-N苯基马来酰亚胺共聚物／蒙脱土纳米复合材料，并用FT-IR、XRD、DSC、TGA对其进行了表征。结果表明，两种蒙脱土在St-NP-MI共聚物基体中，均已达到纳米分散，而且复合材料的热稳定性较纯St-NPMI共聚物有很大提高，尤其是有机蒙脱土纳米复合材料，其Ta提高60℃以上。     

环氧树脂/粘土纳米复合材料的制备与性能研究

研究了有机蒙脱土在环氧树脂中的插层和剥离行为,制备了两种环氧树脂/蒙脱土纳米复合材料并测试了其力学性能。实验结果表明,环氧树脂与有机土的相容性好,二者混合时环氧树脂很容易插入到粘土层间。使用经不同有机阳离子处理的两种有机蒙脱土,分别制得插层型和剥离型环氧/粘土纳米复合材料,力学性能结果表明,剥离型纳米复合材料的性能优于同组成的插层型纳米复合材料。     

添加剂对聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料结构和性能的影响

采用单体原位聚合法制备了三种聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料。通过XRD、FT-IR和TEM对产物进行结构表征,探讨了未加添加剂及分别以N aOH和十二烷基苯磺酸钠为添加剂制得的聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料的结构与性能的差别。结果表明,未加添加剂和以N aOH为添加剂时产物为非晶态的剥离型聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料;而以十二烷基苯磺酸钠为添加剂时可得到具有层状有序结构的插层型聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料。插层型聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料的导电和电化学性能优于剥离型聚吡咯/氧化石墨纳米复合材料,它们的提高归因于聚吡咯分子链共轭程度的增加。     

原位聚合制备聚乙烯/蒙脱土纳米复合材料

首先用乳液聚合法得到聚苯乙烯丙烯腈共聚物改性的蒙脱土，然后利用蒙脱土片层上的羟基和聚合物链上的极性官能团负载茂金属催化剂并通过原住聚合法制得聚乙烯／蒙脱土(PE／MMT)蚋米复合材料。XRD和TEM电镜分析结果表明蒙脱土在聚乙烯基体中呈蚋米级分散。DSC分析结果表明，复合材料的熔点比纯PE高2℃～5℃，DMA分析结果表明，复合材料的储能模量较纯聚乙烯有较大辐度的增长。     

聚吡咯／聚硫橡胶导电复合膜的制备与表征

利用带有电活性端基的液体聚硫橡胶与吡咯单体在以三氯乙酸作增溶剂兼支持电解质的乙腈溶液中一步电化学氧化复合，制备了一类新型的聚吡咯／聚硫橡胶导电复合膜。文中讨论了电流密度，吡咯与聚硫橡胶浓度比，电解液温度等制备条件对复合膜导电性的影响，并采用傅里叶变化红外光谱，扫描电镜和热重分析等技术对复合膜进行了表征。