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林鸿生 《中国科学技术大学学报》1996,(2)
本文基于我们的实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-Si:HP-i-n型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明,随着光辐照发生的载流子俘获所造成的a-Si:H中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区(低场“死层”)的出现。这是a-Si:Hp-i-n型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是,一条提高a-Si:H太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出。 相似文献
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应用数值模拟方法计算p(a-Si:H)/n(c-Si)异质结和p(a-Si:H)/i(a-Si:H)/n(c-Si)结-异质结太阳能电池的电场强度分布,指出异质结电池制造中对a-Si:H膜厚的选择,进而对嵌入本征i(a-Si:H)层的结-异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性 相似文献
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林鸿生 《中国科学技术大学学报》1995,(2)
本文应用计算机数值模拟方法研究了a-Si:HSchottky势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应.结果表明,无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布,导致准中性区(低场“死层”)出现或扩大,从而减小了电池的载流子收集长度,这是引起a-Si:HSchottky势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因. 相似文献
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本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜(a-Ge:H和μc-Ge:H)。研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响。结果表明:衬底温度Ts<290℃,沉积出a-Ge:H膜;Ts≥290℃沉积出μc-Ge:H膜。其结构、光电性能均当Ts≥290℃时有明显的变化。 相似文献
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林鸿生 《北京大学学报(自然科学版)》1997,33(3):346-353
基于实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经主同强度光辐照过的a-Si:HSchottky势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。 相似文献
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a—Si:H p—i—n型太阳能电池中的载流子俘获效应:a—Si:H太阳能电… 总被引:1,自引:1,他引:0
林鸿生 《中国科学技术大学学报》1996,26(2):137-142
本文基于我们的实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-Si:H p-i-n型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明,随着光辐照发生的载流子俘获所造成的a-Si:H中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区(低场“死层”)的出现。这是a-Si:H p-i-n型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是,一条提高a-Si 相似文献
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应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。 相似文献
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通过对射频溅射RF a-Si:F,H薄膜样品光电导随入射光的波长、光强以及温度变化的测量,定量地考察了带隙、带尾态的宽度和带隙中悬键态密度与氟含量的关系,给出了氟原子在网络中一种可能的分布形式。按照Rose模型,计算了电光导随温度的变化关系,给出了局域态分布的位置、高度、宽度以及俘获截面等参量,理论计算与实验符合较好。 相似文献