半导体用高利用率长寿命溅射靶材的研制

半导体制造工艺中使用的高纯金属溅射靶材的利用率直接关系到靶材自身的使用寿命和芯片制作的成本,在靶材研制中需要重点关注。以晶圆制造中广泛应用的高纯铝、铜等靶材为例,介绍了溅射靶材的发展演变,并以靶材使用前后轮廓测量为基础,研究了100~300 mm晶圆制造用靶材的利用率。结果表明,常规靶材随着尺寸增加和溅射工艺的严格控制,靶材利用率减小(30%)。制备高利用率的大尺寸长寿命靶材,需对靶材的溅射面形貌和靶材厚度等方面进行结构优化设计,经优化设计后的靶材利用率最大可达到50%以上,使用寿命亦显著延长。     

金属膜电阻器用高阻溅射靶材研究

利用真空熔炼的方法，研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达１～１０ｋΩ，电阻温度系数α在±１００×１０－６℃－１以内，脉冲稳定性在０．５％以下的电阻体。其阻值和其他电性能稳定可靠，分档集中，产品性能达到ＧＢ５８７３－８６标准，适用于金属膜电阻器生产。     

深圳市大华溅射靶材有限公司

深圳市大华溅射靶材有限公司是一家集靶材研发、生产、销售于一体的高科技企业.公司以宝鸡钛业集团为依托,集合国内外先进的生产工艺技术和原材料,并具有一支务实、高效的管理团队,为广大客户提供溅射靶材、金属化以及绑定服务.     

采用EBSD方法研究高纯Al溅射靶材的微观结构

高纯Al溅射靶材在电子信息产品制造业有着广泛应用。微观结构与组织的均匀性、晶粒尺寸和取向分布对高纯Al溅射靶材的性能有很大的影响。本文采用EBSD技术对高纯Al溅射靶材的晶粒取向分布进行了分析,探索了晶粒取向与溅射速率关系,并采用EBSD大面积扫描对高纯Al溅射靶材的晶粒尺寸及微观结构与组织均匀性进行了研究。     

高纯Ta溅射靶材微观组织与织构的EBSD研究

高纯Ta溅射靶材广泛应用于电子信息产品制造业中,其微观组织均匀性、晶粒尺寸大小及晶粒取向分布对溅射性能有着直接的影响。本文采用EBSD技术对高纯Ta溅射靶材不同区域的组织和织构进行了分析,并对高纯Ta溅射靶材的微观组织、织构组分和晶界取向差进行了研究。     

全球手机市场及技术发展趋势

全球手机市场分析。（1）区域市场分析,全球手机市场格局正在发生巨大变化。亚洲厂商正打破欧美厂商的垄断局面,其中日本厂商势头强劲,中国厂商也正迅速崛起。     

超高纯Al-0.5%Cu合金溅射靶材微观组织与织构的EBSD分析

用EBSD技术对超高纯（99.9995%以上）Al-0.5%Cu合金靶材冷轧及退火过程中的微观组织、织构及取向差进行了表征,分析了合金靶材多向冷轧、退火过程中微观组织、织构及取向差等的演变规律。     

透明导电膜及靶材

透明导电膜在电气及光学领域的应用日益广泛。近年来以掺杂Ｓｎ的Ｉｎ２Ｏ３（简称ＩＴＯ）开发和应用受到重视。用ＩＳＯ靶通过溅射法制备ＩＴＯ透明导电膜。由金属铟制取氧化铟粉末，后与氧化锡混合、压制烧结制出相对密度达９５％的ＩＴＯ靶材。     

综观DSP新兴市场及未来走向

众所周知．推动全球电子信息产业不断前进的核心动力是半导体技术日新月异的发展。电子信息产业以基于晶体管的大型计算机时代为起点,以后伴随着核心半导体技术水平的提高．每10年就会上升到一个新的高度,而带动的市场规模则是数量级的跳跃。基于TTL集成电路的小型机时代如是,基于微处理器时代的个人计算机如是,而基于DSP和模拟芯片的因特同时代更是如此．那么新的时代将又是如何呢?     

Ni-Mn-Ga磁控溅射靶材合金制备及性能

根据Ni-Mn-Ga合金靶材在磁控溅射过程中各元素溅射产额和靶材成分的不同,对薄膜成分的影响进行了分析,从而制备了马氏体转变温度高于室温的Ni55 Mn24.5 Ga20.5靶材.针对目前没有标准的Ni-Mn-Ga马氏体PDF卡片,使用模拟结合已有文献的方法对制备的合金X射线衍射峰进行标定.由于差示扫描量热仪(DSC)...     

投影显示市场的发展趋势

投影显示市场正经历着许多动态性变化。为争取大部分的市场份额 ,正投液晶显示器 (ＬＣＤ)技术和正投反射 (主要是数字式光处理 ,ＤＬＰ)技术在投影显示的应用领域展开了激烈竞争。新型正投影仪仍在不断问世 ,新技术 (如硅上液晶、ＬＣｏＳ)、新产品开发 (如≤ 1 .4ｋｇ的投影仪 )和新供应商不断进入这一市场。在背投市场中 ,虽然背投阴极射线管 (ＣＲＴ)技术在大型电视应用中仍保持优势 ,但基于背投的ＤＬＰ、ＬＣＤ和ＬＣｏＳ技术的新产品将从背投ＣＲＴ技术市场夺走较大市场份额。基于过去 5年投影显示市场的发展 ,本文介绍了这一市场的…     

可靠性预计及其发展趋向

分析了传统可靠性预计方法所面临的问题，指出了可靠性预计的发展趋向。     

白光发光二极管的最新开发动向与未来展望

1引言发光二极管(LED)是一种沿半导体p-n结通过正向电流发光的元件。现已实现商品化的LED是由GaAlAs,AlInGaP,InGaN和AlInGaN等Ⅲ-Ⅴ族混晶半导体(三元、四元)材料制成。LED从显示发展到照明,现正朝固体光源和照明器具的方向发展,其照明特性与以往的白炽灯和荧光灯相同。     

宽带接入市场运营商市场策略及发展特点

经历过2001年的跌宕起伏之后,2002年中国宽带接入市场呈现出相对稳定的发展念势。同去年年初各运营商、尤其是社会上新兴的宽带接入运营商非理性炒作相比,2002年第一季度各大运营商,包括中国电信、中国网通、铁通通信等电信级运营商都采取了平和稳健的发展策略来而对市     

模拟/数字转换技术及其发展趋势

数字技术的飞速发展，使A／D转换器变得越来越重要。文章扼要叙述了A／D转换器的历史发展过程，列举了几种当前流行的A／D转换器，包括全并行、两步型、插值折叠型、流水线型、逐次逼近型、∑-△型A／D转换器；具体介绍了它们的结构、工作原理、性能特点、应用场合以及最新的研究进展，并对它们的性能进行了比较；最后，讨论了A／D转换器的发展趋势。     

世界集成电路市场发展趋势

自50年代发明集成电路（IC）后,世界集成电路产业结构经过了三次变革。80年代以来,IC设计业、制造业、封装业和制版业的市场发展迅速。在PC市场增长逐渐趋缓之后,通信类芯片成为IC市场新的增长点,将带动IC产业的持续发展。     

盘形激光器应用技术的发展趋势

1 引言 在目前新的应用领域中,具有高光束质量的LD泵浦盘形YAG激光器倍受市场的青睐. 本文主要介绍LD泵浦盘形激光器及其应用技术的发展趋势.     

通信测试维护市场的现状及走向

如何提高通信网络运行质量已成为近年来全球性的焦点问题。当前通信测试仪器的特点是种类繁多、制式不同、专业性强、技术含量高，市场前景非常广阔，竞争也异常激烈，而通信和计算机融合的趋势也促使传统测试仪器采用开放式结构设计，并向着数字化、网络化和模块化方向发展。国内通信测试仪表的技术走向主要表现为计算机化、综合化、智能化和网络化。