β-SiC非线性导电特性影响因素及机理的研究

研究了-βSiC非线性导电特性的影响因素及其机理,提出了利用-βSiC作为电机线棒防电晕材料的新方法.在-βSiC微粉合成的过程中,向其中掺杂V、Al等非4价金属,与-βSiC形成固溶体,可有效地改变β-SiC的非线性导电特性;-βSiC微粉表面吸附的Fe、Al、Mg、Ca、Ti、V等金属杂质,随其含量的提高,-βSiC电阻率下降;随表面胶态SiO2含量提高,-βSiC微粉电阻率提高,非线性系数增大;随晶体中x(C)/x(Si)的增大,-βSiC微粉电阻率降低,非线性系数减小.随着-βSiC微粉表面SiO2含量的增加,其防电晕涂层表面电阻率Sρ和起晕电压随之提高,最高可达55 kV,-βSiC完全可单独用作电机线棒的防电晕材料.     

Na2ZnSiO4的微波合成及离子导电性质的研究

报道了Na2ZnSiO4纯相的微波固相合成，讨论了合成条件对产物的影响，测定了它的电导率，其导电活化能为83．4KJ／mol。     

Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究

采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.     

导电沥青混凝土的机敏特性

采用间接拉伸疲劳试验对圆柱体试件的机敏特性进行探讨;通过受拉时的疲劳特性与电性能的对应关系,由电学性能逆推疲劳寿命,实现健康状况自诊断.研究结果表明:导电沥青混凝土能够有效地对其自身在加载过程中产生的应变进行诊断,输出电阻随着应变的增加而可逆地增加,随着应变的减小而可逆地减小;导电沥青混凝土受压后,先后经历追密、稳定和破坏3个阶段,其输出电阻率也会发生相应变化,电阻率和内部结构之间存在一定响应关系;电阻率的变化与其内部的载流子浓度成反比,可据单位体积内载流子浓度的变化进行自诊断.     

含瓦斯煤岩导电特性研究综述

随着中国煤炭开采及瓦斯抽采向更深层开发,对含瓦斯煤岩的导电特性评价技术要求更高,尤其是利用导电性预测深部高瓦斯煤层。系统梳理了近年来国内外含瓦斯煤岩导电性研究的相关文献,着重分析了应力变化、孔隙特征、变质程度以及煤岩吸附和解吸瓦斯过程中煤电阻率的变化机理,得出主控因素有：导电方式、残余形变、水-气置换等。为了实现从定性划分瓦斯带分布到定量计算瓦斯含量、煤矿安全开采过程中高瓦斯带预警以及瓦斯抽采过程中瓦斯含量精准预测,应从地球物理测井角度出发,深入剖析煤岩瓦斯含量与电阻率变化量间的定量关系,明确含瓦斯煤岩的导电机理,将是未来该领域的研究方向和发展趋势。     

高纯Ti3SiC2块体的热压原位合成及性能研究

以Ti、Si和石墨粉为原料,以少量的Al为反应助剂,用反应热压(HP)工艺在1 450 ℃和25MPa下2 h制得纯度为97%、相对密度为98.45%、粒度为5～10 μm的Ti3SiC2多晶块体.其弯曲强度为407 MPa、室温电阻率为0.22×10-6 Ω·m、维氏硬度为3.97 GPa.与Barsoum和Ei-Raghy在1 600 ℃和40 MPa下烧结4 h获得的样品相比,本样品显示了较低的弯曲强度,基本相同的纯度、电阻率和硬度.     

南桐煤的导电性质研究

对南桐煤田的青年矿煤样、南桐矿煤样及鱼田堡矿煤样的导电性质进行了实验测定和理论研究。研究表明,在实验电场强度范围(3.3×10~3～1.7×10~5v/m)内,煤的电阻率是外加电场强度的函数,随着外电场强度的增高,煤的电阻率将下降。实验结果还表明,煤的变质程度越高,其导电性也越好。     

冲击下C轴硫化镉单晶的相变特性

采用前后压电石英计方法系统地研究了c 轴硫化镉单晶在高速平面撞击下的相变特性,首次得到了这种材料的冲击Hugoniot 曲线,并观察到与相变机制有关的应力松弛和双波结构现象.与弹塑性波不同的是,这种由于相变引起的双波结构波形的弹性前驱波,在一定压力范围内,其幅值不随传播距离而衰减.实验结果推断出,相变点同时可能又是屈服点,相变与塑性两种机制也许存在某种耦合作用。     

La2Mo2O9的离子掺杂行为研究

以柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法合成了La2Mo2O9以及La2Mo2-xMxO9(M=Fe、Mn、Ti、Co、Ni、W)掺杂的样品.应用X射线衍射(XRD)、差示扫描量热(DSC)等方法考察了离子掺杂的成相情况以及离子搀杂对La2Mo2O9结构的稳定化作用;运用双探针法测试了样品的电导率随温度的变化情况.研究结果表明Fe、Mn、Ti、Co、Ni等离子对Mo6 的取代掺杂量较少.纯La2Mo2O9在580℃左右存在相变,但Fe、Ti掺杂样品没有出现相变过程的吸热峰.W6 离子可取代部分Mo6 而进入La2Mo2O9晶格,但对抑制其相变没有作用.     

SiO2对热压MoSi2组织结构及性能的影响

研究分析了热压纯MoSi2及加入10%SiO2的MoSi2复合材料的相组成、晶粒尺寸、致密度、室温力学性能及室温电阻率.结果表明:热压纯MoSi2及10%SiO2/MoSi2复合材料均主要由MoSi2、SiO2和少量的四方的Mo5Si3组成,复合材料的致密度低于纯MoSi2,复合材料的晶粒尺寸略小于纯MoSi2,两种材料的室温抗弯强度无明显的差别,复合材料的电阻率比纯MoSi2有较大的提高.     

Abnormal dielectric characteristics of PMN-32%PT single crystal under dc bias

It has been reported that the single crystal of relaxor ferroelectrics (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-xPT) with the compositions near the morphotropic phase boundary (MPB, 0.28相似文献   

Epitaxial growth of Fe/Ag single crystal superlattices and their magnetic properties

Single crystal Fe/Ag(001) superlattices with various periodicities were fabricated using ultrahigh vacuum evaporation deposition. It was found that single crystal bcc Fe layers and single crystal fcc Ag layers can epitaxially grow on a single crystal Ag buffer layer alternately, which was deposited on NaCl single crystal chips by ion beam assisted deposition. The magnetic measurements of the superlattices reveal an oscillation coupling between ferromagnetism and antiferromagnetism as a function of the Ag layer thickness. The oscillation period, which is 1 nm (5 Ag layers), is in good agreement with the calculated values when the Ag thickness is greater than 1.5 nm. While the thickness of the Ag spacer layer decreases to 1 nm, the oscillation coupling varies from calculations, which can be attributed to the intermixing of the interlayers according to the annealing results.     

硼对第二代镍基单晶高温合金显微组织的影响

硼(B)是强化镍基单晶合金小角度晶界的重要微量元素,但目前关于B对镍基单晶合金显微组织影响的系统报道非常有限。通过对3种不同B含量(质量分数分别为0、0.01%、0.02%)的第二代镍基单晶合金DD11铸态及热处理态组织定量表征,研究了B对相转变温度、(γ+γ′)共晶组织、硼化物的影响。结果表明:B显著降低合金的固液相线,提高铸态共晶组织体积分数;0.01%B的加入,合金中未出现M3B2型硼化物相;而0.02%B的加入,显著促进了骨架状硼化物的形成,降低合金初熔点,引起残余共晶含量的大幅度提高;骨架状硼化物吸收较多的Cr、Mo和W等元素,降低合金的固溶强化效果,可导致单晶合金基体的蠕变性能大幅度降低。研究结果对认识单晶合金中微量元素B的作用机理及优化B成分范围具有理论指导意义。     

Growth of AgGaS2 single crystal by descending crucible with rotation method and observation of properties

This note reports a new procedure of polycrystalline synthesis and a new technique of single crystal growth on AgGaS₂, i.e. two-zone temperature oscillation vapor transporting and descending crucible with rotation. A single phase dense AgGaS₂ polycrystalline ingot was synthesized, and a crack-free AgGaS₂ single crystal with 15 mm in diameter and 30 mm in length was grown by the techniques mentioned above. Structure integrity of the crystal was studied by the X-ray diffraction technique. Six order X-ray spectra from the 011 face of the crystal were obtained, and an anomalous phenomenon was observed for the first time that intensity of the higher order diffraction peak is much stronger than that of the lower order diffraction peak. Etch-pits of the crystal were observed by the scanning electron microscopy (SEM).     

Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响

采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17 nm的面心立方结构;250 ℃退火导致晶粒尺度约为40 nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示:薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV;fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明:面心相与非晶相的反射率对比度随着波长从400 nm增加到1 000 nm在15%～30%变化,六方相与非晶相的反射率对比度在30%～40%.不同脉冲宽度的激光对非晶态薄膜的烧蚀结果显示:激光的能量密度对薄膜的记录效果有显著影响,在5 mW、50 ns的脉冲激光作用下,Ge2Sb2Te5薄膜具有最好的光存储效果.     

高压下氢化钠弹性和热力学性质的理论研究

本文采用密度泛函理论的赝势平面波方法,对NaH从B1到B2相的相变和这两种相的弹性进行了理论研究.其结果（弹性常数cij、体变模量BS 和剪切模量G）与已有的实验及理论结果吻合较好.与此同时,我们首次得到了不同压力下泊松关系、德拜温度、横（纵）波弹性波速与压强的变化关系.