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非线性光学晶体RbTiOAsO4 和KTiOAsO4 的角度调谐分析 总被引:2,自引:0,他引:2
利用Cauthy和Sellmeier方程,对0.355μm、0.532μm和1.064μm作非线性光学晶体RbTiOAsO4和KTiOAsO4光参量激光器进行了数值模拟计算,得出了在Ⅰ类和Ⅱ类相位匹配下角度调谐曲线,获得的RbTiOAsO4晶体是一种优质的近中红外透光波段的非线性晶体。 相似文献
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利用Cauthy和Sellmeier方程,对0. 355μm、0. 532μm和1. 064μm作非线性光学晶体
RbTiOAsO4 和KTiOAsO4 光参量激光器进行了数值模拟计算,得出了在Ⅰ类和Ⅱ类相位匹配下角度调谐曲线,获得的RbTiOAsO4 晶体是一种优质的近中红外透光波段的非线性晶体。 相似文献
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测量了RbTiOAsO4(RTA)晶体的电光系数、介电常数和交流电导率,结果为:电光系数γ13=10.8,γ23=17.3,γ33=40.0,γ51=12.3,γ42=14.6pm/V;介电常数ε11=ε22=12,ε33=21;交流电导率σc=3.6×10-8s/cm。结果表明RTA晶体波导调制器的品质因子n7γ2/ε比KTP晶体高15%,但是其交流电导率比KTP晶体小了两个数量级。这些性能使RTA晶体有希望应用于波导调制器和其它电光器件。 相似文献
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周期性极化晶体RbTiOAsO4的允许参量分析 总被引:1,自引:2,他引:1
基于准相位匹配(QPM)技术,对周期性极化RbTiOAsO4(PPRTA)晶体的允许参量进行了理论分析和数值模拟,得到了在波长为1064 nm,Ⅰ类和Ⅱ类相位匹配条件下的允许波长分别为0.25 nm/cm,0.45 nm/cm,和允许温度分别为2.30℃/cm,17.14℃/cm。并获得了室温时的允许角度为3.12°/cm1/2。数值模拟结果表明,Ⅱ类相位匹配比Ⅰ类相位匹配更加适宜于倍频过程。 相似文献
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测量了 Zn Cd(SCN) 4晶体的介电常数和直流电导率 ,结果为 :介电常数 εa=6 .9,εc=7.4。直流电导率ρa=4 .6× 10 1 0 Ω· cm,ρc=1.4× 10 1 1 Ω· cm。并用干涉法测量了该晶体的全部压电应变常数和电光系数 ,其结果为 :压电应变常数 d31 =1.5 p C/N,d36 =9.5 p C/N ,d1 4=1.6 p C/N,d1 5=15 .3p C/N;电光系数γ1 3=0 .0 4 pm /V ,γ6 3=9.4 pm /V,γ4 1 =1.3pm /V ,γ51 =1.7pm/V。 相似文献
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在 Pb W O4 晶体中掺进 Gd2 O3,采用 Czochrolski法生长 Gd∶ Pb W O4 晶体。测试晶体的透射光谱,激光发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率。 Gd∶ Pb W O4 晶体的透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯 Pb W O4 晶体。 Gd∶ Pb W O4 晶体的吸收边紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率。 Gd3+ 掺入 Pb W O4 晶体中,抑制了 Pb3+ 的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力。 Gd∶ Pb W O4 晶体是比 Pb W O4 晶体性能更为优良的闪烁晶体。 相似文献
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研究了溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备的锰掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3系陶瓷的热释电性能。研究发现,该系列材料具有优良的热释电性,适量锰的掺杂可有效降低材料的介电常数和介电损耗,从而进一步提高材料的热释电电压响应优值和热释电探测优值。对于Sol-Gel工艺制备的(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 x%Mn(x=0~0.4,质量分数)陶瓷,x=0.1~0.2范围内材料的热释电性能较好,主要的热释电参数:热释电系数p≈3.1×10-4~3.9×10-4Cm-2K-1,电压响应优值FV≈1.9×10-13~2.0×10-13Cm/J,探测优值FD≈3.3×10-11~3.8×10-11Cm/J。 相似文献