光学光刻中的离轴照明技术

本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术。主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较 ,并用Prolith仿真软件进行了模拟分析。研究表明 ,离轴照明是一种很有效的光刻分辨率增强技术。     

光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正是未来光刻技术中的地位和作用。     

i线光学光刻技术及其发展潜力

综述和分析了ｉ线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术,可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。     

成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析

作为分辨率增强技术(RET)之一，离轴照明技术（OAI）通过调整照明方式，不但能提高分辨率还能很好地改善焦深．成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分，极大地提高了成像质量，其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展．从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析．结果表明，在同样条件下，IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征．     

成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析

作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(ⅡL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对ⅡL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,ⅡL相对于OAI可更好地分辨细微特征.     

130nm以下光刻禁止光学空间周期的系统性研究

禁止光学空间周期"Forbidden Pitch"是光学临近效应修正(OPC)中必须要面对并解决的问题之一.它主要出现在1.1～1.4倍(曝光波长/数值孔径)的范围内.由于在此范围内宅间图像对比度的削弱,这种效应会导致图形的线宽明显小于其他空间周期.目前业界常用的规避手段主要是通过采集大量的数据校正光学临近效应修正模型,但随着半导体进入深亚微米时代,数据的采集量、置信度越发重要和关键.因此,成功地采用光学临近效应修正技术的关键和前提是建立一套成熟的相关工艺.本文着重研究空间光学和光刻工艺技术的相互关系.我们发现在禁止光学空间周期附近的光学表现与有效高斯模糊息息相关.较长的有效光酸扩散长度将显著地消弱光刻表现,进而影响禁止光学空间周期的图形表现.     

光刻、OPC与DFM

讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。     

亚65 nm及以下节点的光刻技术

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术.配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降.随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战.对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择.     

一种基于SPLAT的离轴照明成像算法的研究与实现

如何提高光刻的分辨率巳成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术。文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构造形式，介绍了部分相干的二维透射系统的仿真程度SPLAT的特点，并用SPLAT实现了一种新的照明结构，为实际开发光学邻近校正(OPC，Optical Proximity Correction)仿真工具增加了新的功能。     

光学参数配置对ArF光刻性能影响研究

针对分辨力100nm的ArF光刻机,在环形照明和四极照明下,对4种曝光图形结构光刻性能进行了仿真研究。仿真结果表明,如果光刻物镜在加工装调后的光波像差为6nm,杂散光为2%,工件台运动标准偏差为8nm,曝光量控制在10%,CD≤±10%CD,利用四级照明,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5μm)实现满足器件要求的100nm密集线条、半密集线条的光刻成像。当曝光剂量更精确控制到7%,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5μm)实现满足器件要求的100nm孤立线条的光刻成像。     

一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法

在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正.     

A New Method to Retrieve Proximity Effect Parameters in Electron-Beam Lithography

A new method for determining proximity parameters α,β,and η in electron-beam lithography is introduced on the assumption that the point exposure spread function is composed of two Gaussians.A single line is used as test pattern to determine proximity effect parameters and the normalization approach is adopted in experimental data transaction in order to eliminate the need of measuring exposure clearing dose of the resist.Furthermore,the parameters acquired by this method are successfully used for proximity effect correction in electron-beam lithography on the same experimental conditions.     

纳米时代的可制造性设计

集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后，制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大，使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性，以及建立可制造性设计机制中的多方合作问题。     

193nm准分子激光飞点扫描角膜的研究

本文详细叙述了 193nm准分子激光切削角膜屈光矫正的几种治疗模式 ,并以近视加散光为例 ,对准分子激光消融角膜量的数学模型进行了定量的推导。研究了准分子激光切削角膜的机理 ,提出了确定角膜切削所需的激光脉冲的数目和脉冲位置的方法。在此基础上研究了准分子激光飞点扫描的几种算法 ,并进行了相应的临床实验 ,通过比较得到了两种较好的飞点扫描算法 ,现已在手术中使用。     

193 nm准分子激光飞点扫描角膜研究

以近视和散光矫正为例,对193nm准分子激光消融角膜的数学模型进行了推导;研究了193nm准分子激光对角膜的蚀除机理,提出了确定手术中发射的激光脉冲数目以及每个脉冲在角膜上扫描位置的方法,并进行了相应的计算,进而采用间隔N点扫描、随机飞点扫描、连续2点间隔开扫描、连续3点间隔开扫描和分区域扫描等算法,对PMMA板进行了多次扫描实验,并采用裂隙灯对PMMA板表面进行了测量。通过比较,间隔N点扫描和随机飞点扫描算法比较理想,这两种算法已经应用到手术中,并取得了较好的疗效。     

光刻亚微米线条研究

本文根据惠更新-菲涅耳原理,研究了提高光刻分辨率,提高光刻套准精度和在制版困难的条件下光刻亚微米线条的几种方法;并用实验证实了结论。     

光纤缺陷检测中前向散射图样的表达与分析

用几何射线的分析方法对光纤前向远场散射频谱图样分布及光纤缺陷可能对散射图样产生的影响进行了理论和实验分析。初步建立了分析光纤前向散射图样的数学模型，给出了各种光纤缺陷可能对散射图样产生的影响。