| Nd掺杂对磁控溅射Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈彬,燕红.Nd掺杂对磁控溅射Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜结构和性能的影响[J].人工晶体学报,2013,42(6):1203-1207. |
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| 作者姓名： | 陈彬 燕红 |
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| 作者单位： | 郑州铁路职业技术学院,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响.结果表明,Nd掺杂并未改变薄膜的晶格对称性,仍然保持Bi层状钙钛矿结构,但能在一定程度上抑制晶粒的生长,使薄膜的晶粒更加细小、均匀,同时能明显改善薄膜的介电、铁电性能.Nd掺杂量x=0.30 ～0.40时,Bi4-xNdxTi3O12薄膜的综合性能较好,其介电常数εr＞250,介电损耗tanδ ＜0.1,剩余极化Pr=20.6 μC/cm2,Ec＜ 150 kV/cm.Ag/Bi4-xNdxTi3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V曲线表明该异质结可实现极化存储,其记忆窗口达1.6V.但掺杂量不宜过多,当Nd掺杂量达到0.45以后,薄膜的介电、铁电性能反而有所下降.
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 Bi4-xNdxTi3O12 介电性能 铁电性能 |
Effects of Nd Doping on Structure and Properties of Bi4-xNdxTi3O12 Ferroelectric Thin Films |
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| CHEN Bin,YAN Hong.Effects of Nd Doping on Structure and Properties of Bi4-xNdxTi3O12 Ferroelectric Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(6):1203-1207. |
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| Authors: | CHEN Bin YAN Hong |
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