| Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响 |
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| 引用本文： | 苗瑞霞,谢妙春,程开,李田甜,杨小峰,王业飞,张德栋.Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响[J].物理学报,2023(12):89-98. |
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| 作者姓名： | 苗瑞霞 谢妙春 程开 李田甜 杨小峰 王业飞 张德栋 |
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| 作者单位： | 西安邮电大学电子工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51302215,62105260,12004303)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | In Se作为一种典型的二维层状半导体材料,具有优异的电学性能以及适中可调的带隙,在光电器件中表现出诱人的应用前景.然而有研究表明,单硒空位(Vse)体系的In Se易受O2分子影响,造成In Se材料降解,严重影响其在电子器件领域的应用.本文基于In Se降解机理,提出了碲(Te)替位掺杂的方法,用于提升该材料的环境稳定性.利用密度泛函理论对不同体系电子结构、吸附能、能量反应路径等进行分析,发现Te掺杂不仅显著改善缺陷引起的In Se降解问题,同时可消除Vse产生的缺陷态,起到缺陷补偿作用.具体研究结果如下:1) O2分子在Te掺杂In Se表面(In Se-Te)的解离能垒高达2.67 e V,说明其具有较强的抗氧化能力;2) O2分子在In Se-Te表面保持3.87?的距离,吸附能仅有–0.03 e V,表明O2分子物理吸附在其单层表面;3) Te掺杂不仅提升材料抗氧化能力,同时还消除了Vse产生的缺陷态.该研究结果将有助于进一步提升In Se二维材料器件的环境稳定性,推动In Se二维器件...
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| 关 键 词： | InSe 抗氧化性 掺杂 电子结构 |
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