| Ag-In复合焊膏的高温抗电化学迁移行为 |
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| 作者姓名： | 张博雯 王微 冯浩男 赵志远 鲁鑫焱 梅云辉 |
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| 作者单位： | 天津工业大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(52177189,52107203,51922075); |
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| 摘 要： | 低温烧结纳米银焊膏具有优越的热、电和力学性能,成为宽禁带半导体器件封装互连的关键材料之一,高服役温度下,烧结银的氧化和分解会引起电化学迁移的发生,可能导致电子器件的短路失效.在纳米银焊膏中添加氧亲和力更高的铟颗粒,采用竞争氧化的思路可以抑制烧结银的电化学迁移.与烧结纳米铟焊膏(382 min)相比,烧结Ag-3In和Ag-5In(质量分数,%)焊膏的电化学迁移寿命提高至779和804 min,提高约1倍;分析了铟粉对烧结银在高温干燥环境中电化学迁移失效的抑制机理.服役过程中,铟颗粒优先于银颗粒与氧气发生反应生成In2O3,从而抑制了烧结银的氧化、分解和离子化过程,显著提高了烧结银的电化学迁移失效时间,与此同时,与烧结银焊膏相比,烧结Ag-1In与Ag-3In(质量分数,%)焊膏的抗剪强度分别提升了30.92%和32.37%.结果表明,纳米铟粉的引入可以显著提高烧结银的电化学迁移寿命.
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| 关 键 词： | 电化学迁移 纳米银焊膏 抗电迁移Ag-In焊膏 封装互连可靠性 |
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