| 导模法生长高质量氧化镓单晶的研究 |
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| 引用本文： | 贾志泰,穆文祥,尹延如,张健,陶绪堂.导模法生长高质量氧化镓单晶的研究[J].人工晶体学报,2017,46(2):193-196. |
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| 作者姓名： | 贾志泰 穆文祥 尹延如 张健 陶绪堂 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州510275;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 山东大学青年学者未来计划(2015WLJH36)，光电材料与技术国家重点实验室开放课题(OEMT-2015-KF-06) |
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| 摘 要： | 使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(β-Ga2O3)单晶.晶体外观完整、无色、无开裂,粉末XRD测试证明所获得的晶体为β相,晶体摇摆曲线半峰宽为93.6",峰形对称,说明晶体质量良好.测试了未掺杂晶体的紫外透过光谱,并推算了晶体的禁带宽度为4.77 eV.此外,还重点讨论了晶体放肩时的工艺参数对晶体质量的影响.
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| 关 键 词： | 氧化镓单晶 导模法 禁带宽度 |
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