| 质子入射AlxGa1–xN材料的位移损伤模拟 |
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| 引用本文： | 何欢,白雨蓉,田赏,刘方,臧航,柳文波,李培,贺朝会.质子入射AlxGa1–xN材料的位移损伤模拟[J].物理学报,2024(5):98-105. |
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| 作者姓名： | 何欢 白雨蓉 田赏 刘方 臧航 柳文波 李培 贺朝会 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学核科学与技术学院;2. 北京大学物理学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11975179)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量AlxGa1–xN材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于AlxGa1–xN材料位移损伤研究较少.本文通过两体碰撞近似理论模拟了10 keV—300 MeV质子在不同Al元素含量的AlxGa1–xN材料中的位移损伤机理.结果表明质子在AlxGa1–xN材料中产生的非电离能损随质子能量增大而下降,当质子能量低于40 MeV时,非电离能损随着Al含量的增大而变大,当质子能量升高时该趋势相反;分析由质子导致的初级撞出原子以及非电离能量沉积,发现不同AlxGa1–xN材料初级撞出原子能谱虽然相似,然而Al元素含量越高,由弹性碰撞产生的自身初级撞出原子比例越高;对于质子在不同深度造成的非电离能量沉积,弹性碰撞导致的能量沉积在径迹末端最大,而非弹性碰撞导致的能...
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| 关 键 词： | AlxGa1–xN 质子 位移损伤 两体碰撞近似 |
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