| 太赫兹时域光谱技术研究S掺杂GaSe晶体的电导率特性 |
| |
| 引用本文： | 李高芳,殷文,黄敬国,崔昊杨,叶焓静,高艳卿,黄志明,褚君浩.太赫兹时域光谱技术研究S掺杂GaSe晶体的电导率特性[J].物理学报,2023(4):278-288. |
| |
| 作者姓名： | 李高芳 殷文 黄敬国 崔昊杨 叶焓静 高艳卿 黄志明 褚君浩 |
| |
| 作者单位： | 1. 上海电力大学电子与信息工程学院;2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:62205194,52177185)；;上海市自然科学基金(批准号:17ZR1411500)资助的课题~~； |
| |
| 摘 要： | 本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体的电导率实部随S掺杂浓度的增大而减小,主要是由于S掺杂使GaSe晶体的费米能级逐渐向电荷中性能级转移,载流子浓度下降引起的.本征GaSe和GaSe:S(2.5%)在约0.56 THz处有明显的晶格振动峰,而GaSe:S(7%)在0.56 THz附近无晶格振动峰,这主要是由于S掺杂提高了晶体的结构硬度,减弱了晶体的层间刚性振动.且3个样品均在约1.81 THz处存在明显的窄晶格振动峰,强度随S掺杂浓度的增大先减小再增大,主要是由于S掺杂降低了GaSe的局部结构缺陷,减弱了窄晶格振动峰强度,而过量的S掺杂生成β型GaS晶体,进而增加晶体的局部结构缺陷,窄晶格振动峰强度随之增强.GaSe晶体约在1.07 THz和2.28 THz处的宽晶格振动峰强度随S掺杂浓度的增大而减弱甚至消失,主要是由于S掺杂产生...
|
| 关 键 词： | 太赫兹时域光谱 S掺杂硒化镓 电导率 Drude-Smith-Lorentz模型 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
