|
|||||
|
|
| 离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构 | |
| 引用本文： | 李晓娜,聂冬,董闯,马腾才,金星,张泽.离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构[J].物理学报,2002,51(1). |
| 作者姓名： | 李晓娜 聂冬 董闯 马腾才 金星 张泽 |
| 作者单位： | 1. 三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连,116024;中国科学院北京电子显微镜实验室,北京,100080 2. 三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连,116024 3. 中国科学院北京电子显微镜实验室,北京,100080 |
| 摘 要： | 采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成. |
| 关 键 词： | β-FeSi2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜 |
Microstructure of β-FeSi2 film synthesized by ion implantation |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |
