| SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展 |
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| 引用本文： | 赵春阳,王恩会,侯新梅. SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展[J]. 工程科学学报, 2021, 43(5): 594-602. DOI: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001 |
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| 作者姓名： | 赵春阳 王恩会 侯新梅 |
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| 作者单位： | 北京科技大学钢铁共性技术协同创新中心，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目;中央高校基本科研业务费资助项目 |
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| 摘 要： | SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路。
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| 关 键 词： | SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管 Deal-Grove模型 晶面 氧化 |
| 收稿时间： | 2020-10-10 |
Research progress on the oxidation mechanism and kinetics of a SiC semiconductor with different crystal surfaces |
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| ZHAO Chun-yang,WANG En-hui,HOU Xin-mei. Research progress on the oxidation mechanism and kinetics of a SiC semiconductor with different crystal surfaces[J]. Chinese Journal of Engineering, 2021, 43(5): 594-602. DOI: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001 |
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| Authors: | ZHAO Chun-yang WANG En-hui HOU Xin-mei |
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| Affiliation: | Collaborative Innovation Center of Steel Technology, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China |
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