| 有限元法计算GaN/AIN量子点结构中的电子结构 |
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| 引用本文： | 梁双,吕燕伍.有限元法计算GaN/AIN量子点结构中的电子结构[J].物理学报,2007,56(3). |
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| 作者姓名： | 梁双 吕燕伍 |
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| 摘 要： | 根据有效质量理论单带模型,采用有限元方法(FEM)计算了GaN/AlN量子点结构中的电子结构,分析了应变和极化对电子结构的影响,计算了不同尺寸的量子点的能级,分析了量子点的大小对电子能级的影响.结果表明,形变势和压电势提升了电子能级,而且使简并能级分裂.随着量子点尺寸的增大,量子限制能减小,而压电势能起到更显著的作用,使电子的能级降低,吸收峰发生红移.
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| 关 键 词： | GaN/AlN量子点结构 有效质量理论 电子能级 |
The calculation of electronic structure in GaN/AIN quantum dots with finite element method |
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| Liang Shuang,Lü Yan-Wu.The calculation of electronic structure in GaN/AIN quantum dots with finite element method[J].Acta Physica Sinica,2007,56(3). |
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| Authors: | Liang Shuang Lü Yan-Wu |
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