| 利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功 |
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| 引用本文： | 孙建平,张兆祥,侯士敏,张耿民,赵兴钰,刘惟敏,薛增泉. 利用场发射显微镜测算碳化钨薄膜的逸出功[J]. 电子学报, 2002, 30(5): 655-657 |
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| 作者姓名： | 孙建平 张兆祥 侯士敏 张耿民 赵兴钰 刘惟敏 薛增泉 |
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| 作者单位： | 北京大学电子学系,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (No 69890 2 2 1 ,69971 0 0 3)，教育部科学技术研究重点项目基金 (No .0 0 0 0 5) |
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| 摘 要： | 在 1× 10 -6～ 10 -5Pa环境压强下 ,经过高温退火处理 ,在钨针尖上形成了碳化钨薄膜 ,利用场发射显微镜观察到清楚的钨单晶基底上碳化钨薄膜的场发射图像 ;对碳化钨薄膜的场发射I V特性及Fowler Nordheim曲线进行测量和计算 ;用透射电镜测得针尖曲率半径并估算出比例因子 β ,利用Fowler Nordheim公式计算得到碳化钨薄膜的逸出功约为 3 79eV .
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| 关 键 词： | 场发射 场发射显微镜 碳化钨薄膜 逸出功 |
| 文章编号： | 0372-2112(2002)05-0655-03 |
| 修稿时间： | 2001-06-28 |
Work Function of Tungsten Carbide Thin Film Calculated Using Field Emission Microscopy |
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| SUN Jian ping,ZHANG Zhao xiang,HOU Shi min,ZHANG Geng min,ZHAO Xing yu,LIU Wei min,XUE Zeng quan. Work Function of Tungsten Carbide Thin Film Calculated Using Field Emission Microscopy[J]. Acta Electronica Sinica, 2002, 30(5): 655-657 |
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| Authors: | SUN Jian ping ZHANG Zhao xiang HOU Shi min ZHANG Geng min ZHAO Xing yu LIU Wei min XUE Zeng quan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | field emission field emission microcopy tungsten carbide thin film work function |
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