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高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶
引用本文:史玉芬,周学芹,李坤,刘小利.高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶[J].人工晶体学报,2015,44(4):967-971.
作者姓名:史玉芬  周学芹  李坤  刘小利
作者单位:常州大学材料科学与工程学院,常州213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州213022;常州大学材料科学与工程学院,常州,213164;常州宝颐金刚石科技有限公司,常州,213022
基金项目:国家自然科学基金(51372044)
摘    要:利用自主研发的圆柱谐振腔式MPCVD设备,在工作气压28 kPa,微波功率5 kW的条件下成功制备金刚石单晶,并采用光学显微镜、激光拉曼谱(Raman)技术对样品进行表征.结果表明,在高气压高功率条件下单晶的沉积速率高达26 μm/h,且表面形貌平整.

关 键 词:金刚石单晶  沉积速率  MPCVD  

Synthesis of Diamond Single Crystal by MPCVD at High Gas Pressure and High Microwave Power
SHI Yu-fen,ZHOU Xue-qin,LI Kun,LIU Xiao-li.Synthesis of Diamond Single Crystal by MPCVD at High Gas Pressure and High Microwave Power[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(4):967-971.
Authors:SHI Yu-fen  ZHOU Xue-qin  LI Kun  LIU Xiao-li
Abstract:
Keywords:
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