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| GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响 | |
| 引用本文： | 倪海桥,徐晓华,张纬,徐应强,牛智川,吴荣汉.GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响[J].物理学报,2004,53(5):1474-1482. |
| 作者姓名： | 倪海桥 徐晓华 张纬 徐应强 牛智川 吴荣汉 |
| 摘 要： | 用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元，从而影响了该超晶格的发光性能．计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量． |
| 关 键 词： | 超品格 电子性能 折叠谱法 蒙特卡罗模拟 砷化镓材料 镓铟氮砷锑材料 半导体材料 |
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