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| CdSnAs_2的基本反射光谱 | |
| 引用本文： | 张存洲,张光寅.CdSnAs_2的基本反射光谱[J].物理学报,1966(8). |
| 作者姓名： | 张存洲 张光寅 |
| 作者单位： | 南开大学 (张存洲)，南开大学(张光寅) |
| 摘 要： | A~(Ⅱ)B~(Ⅳ)C_2~Ⅴ三元化合物,作为一类具有应用前途的新型半导体材料,近来引起了人们的注意。这是因为它们在物理化学性质、电学性质等方面与相应的等电子系列的Ⅲ-V族化合物半导体有很多相近的地方。特别是 CdSnAs_2 已被人们作了较多的研究,由于具有高值迁移率而受到极大的重视(霍尔迁移率μ_e=22000—25000厘米~2/伏·秒)。 |
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