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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
半导体氮化铟(InN)的电学性质
作者姓名:
潘葳
沈文忠
小川博司
郭其新
作者单位:
上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室;上海市华山路1954号; 上海 200030 佐贺大学理工学部电气与电子工程系, 佐贺840O8502 , 日本
摘 要:
本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。
关 键 词:
氮化铟(InN)
电学性质
综述
载流子浓度
迁移率
输运
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