摘 要: | 本文研究了不同能量(5—600keV)和不同剂量(10~(14)-10~(16)atom/cm~2)下的P_2~+和P~+注入〈100〉单晶硅后的损伤及退火行为。实验结果表明,P_2~+注入所产生的损伤总是大于P~+注入所产生的损伤。由移位效率之比N_D~*(mol)/2N_D~*(atom)所表征的分子效应随入射能量的改变而变化并在100keV(P_2~+),50keV(P~+)处达到极大值。P_2~+与P~+注入的样品,退火后的载流子分布也有某些区别。我们认为,产生这些分子效应的基本原因是位移尖峰效应,但当入射离子的能量较高时,还应该考虑离子、靶原子之间的多体碰撞效应的贡献。
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