Al2O3忆阻器中氧空位对阻值转换性能的影响研究 |
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引用本文: | 王剑宇王立.Al2O3忆阻器中氧空位对阻值转换性能的影响研究[J].南昌大学学报(理科版),2021,45(3):229. |
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作者姓名: | 王剑宇王立 |
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作者单位: | 南昌大学物理学系 |
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基金项目: | 国家自然科学基金青年项目(62005112); |
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摘 要: | 忆阻器能够在外加电压下实现高阻态与低阻态的转换,在存储器件及仿神经网络计算等方面有着重要的应用。本文通过在Si衬底上制备得到Pt-Al2O3-Pt的金属-绝缘层-金属结构的忆阻器器件,研究了氧空位对阻值转换性能的影响。利用原子层沉积技术工艺控制生长不同氧空位浓度的Al2O3薄膜,测量并比较其Ⅰ—Ⅴ循环曲线,发现仅有在氧空位浓度较高情况下忆阻器才能够实现在高阻态和低阻态之间的转换。本文实验结果表明氧空位对于实现阻值转换性能有着重要的影响,对生长制备忆阻器器件有着重要意义。
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关 键 词: | 凝聚态物理 忆阻器 Al2O3 氧空位 |
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