| Ni、Co掺杂对ZnTe电子结构影响的研究 |
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| 引用本文： | 阳兴见,欧汉文.Ni、Co掺杂对ZnTe电子结构影响的研究[J].人工晶体学报,2019,48(3):457-460. |
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| 作者姓名： | 阳兴见 欧汉文 |
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| 作者单位： | 重庆市经贸中等专业学校,永川,402160;重庆文理学院电子电气工程学院,永川,402160 |
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| 摘 要： | 研究了Ni、Co单掺杂ZnTe以及Ni-Co共掺杂ZnTe晶体材料的稳定性、磁性性质、能带结构、 态密度.结果发现:由杂质替换能分析得到Co掺杂体系的稳定性最强;掺杂都使ZnTe晶体体系产生磁性,磁性的主要起源主要是Co、Ni与Te原子d轨之间的相互耦合;Co、Ni、Co-Ni共掺杂ZnTe晶体体系的禁带中都出现杂质能级,使ZnTe晶体体系的导电能力增强;Co、Ni掺杂以及Co-Ni共掺杂ZnTe结构的态密度总体向低能区移动.
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| 关 键 词： | 磁性 能带结构 ZnTe |
Effect of Ni and Co Doped on Electronic Structure of ZnTe |
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| YANG Xing-jian,OU Han-wen.Effect of Ni and Co Doped on Electronic Structure of ZnTe[J].Journal of Synthetic Crystals,2019,48(3):457-460. |
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| Authors: | YANG Xing-jian OU Han-wen |
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