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光纤基底TiNi形状记忆合金薄膜制备工艺
引用本文:党俊坡,江秀娟,唐振华.光纤基底TiNi形状记忆合金薄膜制备工艺[J].物理学报,2022(3).
作者姓名:党俊坡  江秀娟  唐振华
作者单位:广东工业大学机电工程学院;广东工业大学物理与光电工程学院
基金项目:广东省自然科学基金(批准号:2019A1515011229,2018A030313315)资助的课题。
摘    要:将TiNi基记忆合金薄膜与光纤相结合可制成智能化、集成化且成本经济的微机电系统和微传感器件.本文采用磁控溅射法在二氧化硅光纤基底上制备TiNi记忆合金薄膜,系统讨论了溅射工艺参数以及后续退火处理对薄膜质量的影响.采用自研制光纤镀膜掩膜装置在直径为125μm的光纤圆周表面上形成均匀薄膜.实验表明:在靶基距、背底真空度、Ar气流量和溅射时间一定的条件下,溅射功率存在最佳值;溅射压强较大时,薄膜沉积速率较低,但薄膜表面粗糙度较小.进行退火处理后,薄膜形成较良好的晶体结构,Ti49.09Ni50.91薄膜中马氏体B19′相和奥氏体B2相共存,但以B19′为主.根据本文研究结果,在玻璃光纤基底上制备高质量的TiNi基记忆合金薄膜是可实现的,本工作为下一步研制微机电系统和微型传感器做了基础准备.

关 键 词:光纤  TiNi薄膜  磁控溅射  工艺参数

Technique of TiNi-based shape memory alloy thin film coating on optical fibers
Dang Jun-Po,Jiang Xiu-Juan,Tang Zhen-Hua.Technique of TiNi-based shape memory alloy thin film coating on optical fibers[J].Acta Physica Sinica,2022(3).
Authors:Dang Jun-Po  Jiang Xiu-Juan  Tang Zhen-Hua
Affiliation:(School of Electromechanical Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China;School of Physics and Optoelectronic Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China)
Abstract:
Keywords:optical fiber  TiNi-based film  magnetron sputtering  process parameter
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