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掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质
引用本文:丁迎春,向安平,徐明,祝文军.掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质[J].物理学报,2007,56(10).
作者姓名:丁迎春  向安平  徐明  祝文军
摘    要:采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了未掺杂和掺杂稀土(Y,La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小,并且可能形成新的半导体,这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y,La)后的光学性质,掺杂后有更高的静态介电常数,可以作为新的介电材料和好的折射材料,这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.

关 键 词:γ-Si3N4  掺杂  电子结构  光学性质

Electrical structures and optical properties of doped earth element (Y,La) in γ-Si3N4
Ding Ying-Chun,Xiang An-Ping,Xu Ming,Zhu Wen-Jun.Electrical structures and optical properties of doped earth element (Y,La) in γ-Si3N4[J].Acta Physica Sinica,2007,56(10).
Authors:Ding Ying-Chun  Xiang An-Ping  Xu Ming  Zhu Wen-Jun
Abstract:
Keywords:
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