| 压力对管道缺陷磁记忆信号的影响分析 |
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| 引用本文： | 唐玉莲,陈世利,黄新敬,杨雨涵.压力对管道缺陷磁记忆信号的影响分析[J].机械强度,2018(2):306-311. |
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| 作者姓名： | 唐玉莲 陈世利 黄新敬 杨雨涵 |
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| 作者单位： | 天津大学精密测试技术及国家重点实验室; |
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| 摘 要： | 为了分析利用磁记忆检测技术进行管道在线内检测的可行性,需要分析压力对管道缺陷磁记忆信号的影响。在J-A力磁耦合模型基础上得出相对磁导率与应力的数值关系,在Ansys软件中导入相对磁导率与应力的关系进行力学与静磁学联合仿真。研究结果表明:缺陷磁记忆信号有两个特点——径向磁场产生最小值到最大值的突变,轴向磁场出现最大值。在压力作用下管道内部背景磁场减小,缺陷磁记忆信号随着压力增大先减小后保持不变,可以利用磁记忆检测技术进行管道在线内检测。
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| 关 键 词： | 压力 管道 缺陷 磁记忆信号 力磁耦合 Ansys |
EFFECTS ANALYSIS OF PRESSURE ON THE MAGNETIC MEMORY SIGNALS OF PIPELINE DEFECTS |
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