| 热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能 |
| |
| 引用本文： | 唐汉玲,曾燮榕,熊信柏,李龙,邹继兆.热压烧结碳化硅陶瓷的氧化性能[J].机械工程材料,2007,31(9):11-14. |
| |
| 作者姓名： | 唐汉玲 曾燮榕 熊信柏 李龙 邹继兆 |
| |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学材料科学与程学院,陕西西安,710072
2. 深圳大学材料科学与工程学院,广东深圳,518060;深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳,518060 |
| |
| 摘 要： | 采用硅作为烧结助剂热压烧结SiC陶瓷,用扫描电镜、X射线衍射仪和热重分析仪研究了不同状态SiC陶瓷的氧化性能.结果表明:未预处理SiC在等温氧化过程中,600～1 100℃区间内,等温氧化动力学曲线服从抛物线规律;而在1 100～1 300℃区间,则偏离了抛物线规律,氧化速率随温度的升高先增大后减小.经过高温预氧化处理之后,SiC试样在等温氧化过程中,氧化动力学曲线为直线,较未预处理试样氧化增重显著减少;连续升温氧化过程中,和未预处理试样相比,剧烈氧化开始温度升高,同时其氧化速率及最终的氧化增重均大幅度降低.说明了高温预氧化处理能够有效提高SiC陶瓷的抗氧化性能.
|
| 关 键 词： | SiC陶瓷 等温氧化 非等温氧化 热压烧结 碳化硅陶瓷 氧化性能 Silicon Carbide Resistance Analysis 温度升高 连续升温 氧化增重 直线 试样 预氧化处理 高温 氧化速率 抛物线规律 氧化动力学曲线 区间 氧化过程 预处理 结果 不同状态 |
| 文章编号： | 1000-3738（2007）09-0011-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-27 |
Oxidation Resistance Analysis of Silicon Carbide Sintered by Hot-pressing |
| |
| TANG Han-ling,ZENG Xie-rong,XIONG Xin-bo,LI Long,ZOU Ji-zhao.Oxidation Resistance Analysis of Silicon Carbide Sintered by Hot-pressing[J].Materials For Mechanical Engineering,2007,31(9):11-14. |
| |
| Authors: | TANG Han-ling ZENG Xie-rong XIONG Xin-bo LI Long ZOU Ji-zhao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SiC ceramic isothermal oxidation non-isothermal oxidation |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
