| CMP材料去除机制的研究进展 |
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| 引用本文： | 蒋建忠,袁晓林,赵永武.CMP材料去除机制的研究进展[J].润滑与密封,2011,36(5). |
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| 作者姓名： | 蒋建忠 袁晓林 赵永武 |
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| 作者单位： | 1. 江南大学机械工程学院,江苏无锡,214122
2. 常州轻工职业技术学院,江苏常州,213004 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基金，教育部回国人员启动基金，清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金，江南大学重大基金，江南大学预研基金 |
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| 摘 要： | CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,其材料去除机制及理论模型的研究已经成为当前CMP研究的热点.综述基于流体润滑、磨粒磨损、化学作用、原子/分子去除等不同机制的集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除率的理论模型的研究现状和进展,分析和比较基于不同假设的理论模型,展望CMP材料去除机制研究的未来发展方向.CMP理论真正应用于实际生产指导,许多影响因素的定量研究还要细化,抛光盘的黏弹性和抛光液的流体动力学性能对CMP过程的影响还需深入研究.
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| 关 键 词： | 机械化学抛光 材料去除机制 模型 芯片 |
Recent Progress in Study on the Material Removal Mechanisms during Chemical Mechanical Polishing |
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| Jiang Jianzhong,Yuan Xiaolin,Zhao Yongwu.Recent Progress in Study on the Material Removal Mechanisms during Chemical Mechanical Polishing[J].Lubrication Engineering,2011,36(5). |
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| Authors: | Jiang Jianzhong Yuan Xiaolin Zhao Yongwu |
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