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| 厚膜PTC热敏电阻烧结峰值温度研究 | |
| 引用本文： | 唐珍兰,胡君遂,堵永国,张为军,郑晓慧.厚膜PTC热敏电阻烧结峰值温度研究[J].新技术新工艺,2006(1):113-115. |
| 作者姓名： | 唐珍兰 胡君遂 堵永国 张为军 郑晓慧 |
| 作者单位： | 国防科技大学材料工程与应用化学系,410073 |
| 摘 要： | 在传统厚膜PTC热敏电阻浆料制备技术的基础上，改进了功能相的制备方法，研究烧结峰值温度对厚膜PTC热敏电阻的影响，并用SEM对厚膜PTC热敏电阻的微观结构进行了观察分析。结果表明：随着烧结峰值温度上升，方阻RS下降，TCR上升；烧结膜厚为18μm时，重烧性能在850～865℃范围内达到最佳，此时阻值均匀性也最好。 |
| 关 键 词： | 烧结峰值温度 方阻 重烧性能 |
Study of Peak-temperature in the Thick Film Resistor of Positive Temperature Coefficient |
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| Tang ZheLan;Hu JunSui;Du YongGuo;Zhang WeiJun;Zheng XiaoHui.Study of Peak-temperature in the Thick Film Resistor of Positive Temperature Coefficient[J].New Technology & New Process,2006(1):113-115. | |
| Authors: | Tang ZheLan;Hu JunSui;Du YongGuo;Zhang WeiJun;Zheng XiaoHui |
| Abstract: | |
| Keywords: | sintering peak temperature sheet resistance performance of retiring |
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