| 两面顶技术低温超高压烧结AlN陶瓷的研究 |
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| 引用本文： | 李丹,卢忠远,范辉.两面顶技术低温超高压烧结AlN陶瓷的研究[J].新技术新工艺,2004(8):44-46. |
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| 作者姓名： | 李丹 卢忠远 范辉 |
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| 作者单位： | 1. 西南科技大学,621010
2. 四川艺精长运超硬材料有限公司,621700 |
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| 摘 要： | 研究了掺杂不同质量分数的Y2 O3的AlN陶瓷在超高压状态下烧结的第二相组成和微观结构。研究表明 ,Y2 O3是有效的低温烧结助剂 ,在低温超高压烧结下 ,掺杂不同比例烧结助剂的AlN陶瓷的第二相均为Al5Y3O12 ,在 4 .4× 10 3MPa ,15 0 0℃ ,1h的实验条件下 ,超高压烧结AlN陶瓷有着较好的微观结构 ,热导率可达到 130W /(m·K)。
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| 关 键 词： | Y2O3 陶瓷 烧结助剂 研究 微观结构 质量分数 相组成 第二相 超高压 掺杂 |
AlN Ceramics Sintered at Low Temperature and Super High Pressure with Twain Surface Peak Technology |
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