| CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析 |
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| 引用本文： | 蒋建忠,袁晓林,赵永武.CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析[J].中国机械工程,2011,22(15). |
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| 作者姓名： | 蒋建忠 袁晓林 赵永武 |
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| 作者单位： | 1. 江南大学,无锡,214122
2. 常州轻工职业技术学院,常州,213004 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基金资助项目，教育部回国人员启动基金资助项目，清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金资助项目，江南大学重大基金资助项目，江南大学预研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 根据芯片/磨粒/抛光盘三体接触当量梁的弯曲假设,建立了更加准确合理的CMP过程磨粒压入芯片表面深度的理论模型。新模型包含了更加丰富的信息,包括磨粒的直径、磨粒的浓度、磨粒的密度、抛光盘的弹性模量、芯片的表面硬度,特别是磨粒的浓度和密度的影响,在前人的模型中往往被忽视。最后对理论模型进行了试验验证,结果表明,理论预测规律与试验结果基本一致。
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| 关 键 词： | 机械化学抛光 磨粒 建模 芯片 |
Factors Influencing Indentation Depth of a Particle into Wafer Surface in CMP |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical mechanical polishing（CMP） abrasive particle modeling wafer |
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