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| SIMS中二次离子离化率补偿法——硅中硼的定量分析 | |
| 引用本文： | 田村一二三,问田博,泉荣一,李之仁,胡殿国,杨存安,顾锋,李昆昆,胡玉珍.SIMS中二次离子离化率补偿法——硅中硼的定量分析[J].质谱学报,1982(2). |
| 作者姓名： | 田村一二三 问田博 泉荣一 李之仁 胡殿国 杨存安 顾锋 李昆昆 胡玉珍 |
| 作者单位： | 日立中央研究所，日立那珂工场，日立那珂工场，北京电子管厂中心试验室，北京电子管厂中心试验室，北京电子管厂中心试验室，北京电子管厂中心试验室，北京电子管厂中心试验室 |
| 摘 要： | 1.引言二次离子质谱分析法(SIMS)不但灵敏度高,而且可以测定特征元素的深度分布,这是其它类似装置所没有的。目前这种分析法在半导体材料领域里得到了广泛的应用。但是这种分析方法在绝对定量方面存在困难。目前SIMS正在研究的实用定量分析方法有三种:(1)曲线法;(2)热力学解析法和(3)MISR(Matrix Ion Species Ratio)方 |
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