掺铈PI/SnO_2复合薄膜的制备及光催化性能 |
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摘 要: | 以聚酰亚胺(PI)为基体,采用离子交换法制备Ce掺杂PI/Sn O_2复合薄膜。考察了不同制备条件对其性能的影响,并进一步研究了Ce掺杂量及离子交换液浓度对复合薄膜的影响。利用SEM、EDAX、XRD、FTIR等对复合薄膜进行表征,并且以亚甲基蓝为模拟污染物,根据对亚甲基蓝的降解率评价薄膜的光催化性能。研究结果表明,煅烧温度330℃,煅烧时间4 h,Ce掺杂量为30%,离子交换液浓度0.4 mol/L时,光催化效果最好,光照射2 h亚甲基蓝降解率可达94.5%,TOC去除率75.3%。回收复合薄膜进行二次利用,降解效果良好。
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